[发明专利]显示设备及其制造方法有效
| 申请号: | 200880000767.7 | 申请日: | 2008-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN101548409A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
| 发明(设计)人: | 山本和人 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蹇 炜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种显示设备及其制造方法,更具体地说,涉及一种包括 显示像素的显示设备及其制造所述显示设备的方法,所述显示像素具有诸 如有机电致发光元件的发光元件。
背景技术
最近,已经朝着包括发光元件型显示面板的显示设备的全面实用和普 及进行了研究和开发,所述发光元件型显示面板包括自发光元件的二维阵 列,自发光元件诸如是有机电致发光元件(在下文中缩写为“有机EL元件”) 和作为液晶显示设备(LCD)之后的下一代显示设备的发光二极管(LED)。
特别地,采用有源矩阵驱动方案的发光元件型显示设备具有非常好的 显示特性,与液晶显示设备相比,其具有更高的显示响应速度,并且不具 有对视角的依赖性。另外,就设备配置而言,与液晶显示设备不同的是发 光元件型显示设备具有不需要任何背光或导光板的特性。出于这些原因, 预计未来发光元件型显示设备将用于各种电子设备。
像这种基于有源矩阵驱动方案的显示设备,对于排列在显示面板上的 每个显示像素,已知的设备具有用于使得发光元件(有机EL元件)以期望 的亮度水平发光的像素电路(像素驱动电路)。作为这种像素电路,例如, 如特开号为8-330600的日本专利申请所公开,包括一个或多个诸如薄膜晶 体管的开关元件和互连层的电路是已知的。
当在衬底的一个表面侧上形成每个都具有构成显示像素的像素电路和 发光元件的显示面板时,已知顶部发射型显示面板根据每个发光元件的器 件结构施加光至衬底的一个表面侧,而底部发射型显示面板施加光至衬底 的另一表面侧。例如,如特开号为2005-222759的日本专利申请中所描述, 将顶部发射型显示面板配置成使得设置在一个表面侧的发光元件发射的光 由衬底反射(不透射)并被施加至一个表面侧,但是,底部发射型显示面 板具有的发光结构是,其中从发光元件发射的光透射通过衬底并被施加至 另一表面侧。
在有源矩阵型显示面板中,如上所述,对于每个显示像素,需要在同 一衬底上形成具有诸如晶体管的电路元件的像素电路和诸如有机EL元件 的发光元件。能够在所述衬底上彼此二维堆叠(即,多层形成物)像素电 路上的每个电路元件和每个发光元件。与像素电路(电路元件)和发光元 件需要布置成不是二维堆叠的底部发射型发光结构相比,这不但能够增加 像素开口率还能增加电路元件的布局设计的自由度。
在具有这种顶部发射型发光结构的显示面板中,形成在每个显示像素 中的有机EL元件具有例如下列器件结构:在形成每个像素电路的各个电路 元件的衬底上依次堆叠反射层、透明像素电极(例如,正电极)、诸如有机 EL层的发光层以及透明相对电极(例如,负电极)。由所述发光层发射的 光通过所述相对电极直接施加至视场侧(visual field side)。另外,沿着所述 衬底的方向施加的光由所述反射层反射,并且然后通过所述发光层和所述 相对电极施加至所述视场侧。利用该操作,显示期望的图像信息。
然而,在具有如上所述的顶部发射型发光结构的显示面板中,由发光 层发射的光通过相对电极直接施加至视场侧,而沿着衬底方向施加的光由 反射层反射并且通过发光层和相对电极施加至视场侧。这引起了与所施加 的光束之间的膜厚度对应的光程差,然后所述光程差引起色度偏移和发射 亮度(发射强度)波动,导致诸如图像模糊的显示特性的恶化。本发明已 经检测并发现当使用聚合物基有机EL元件作为发光元件时,上述特性恶化 是明显的。注意到在下面的本发明的实施例中将详细地描述显示面板的具 体的特性恶化。
发明内容
根据本发明的显示设备包括:发光功能层,包括至少一层;第一电极, 至少对从所述发光功能层发射的光的波长范围中的部分波长的光具有透射 特性;第二电极,设置成经所述发光功能层面对所述第一电极,并且至少 对从所述发光功能层发射的所述光的所述波长范围中的所述部分波长的光 具有透射特性;平面反射层,至少对从所述发光功能层发射的所述光的所 述波长范围中的所述部分波长的光具有反射特性;平面绝缘膜,设置在所 述平面反射层和所述第一电极之间,所述平面绝缘膜至少对从所述发光功 能层发射的所述光的所述波长范围中的所述部分波长的光具有透射特性, 并且所述平面绝缘膜的折射率大约为1.6,并且其厚度不小于2000nm;以 及像素驱动电路,提供发射驱动电流,并且其特征在于,所述平面反射层 电连接至所述像素驱动电路,并且所述第一电极电连接至所述平面反射层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





