[发明专利]用于电池电源管理的堆栈式晶粒封装

权利要求书

1.一种电池防护封装结构，其特征在于，包含：

一导线架；

一电源控制整合式回路(IC)；

第一与第二共享漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)其是电性连 接至该电源控制IC；其中该电源控制IC与该第一与第二共享漏极金属氧化 物半导体场效应晶体管(MOSFETs)是共同封装于该导线架之一共享晶粒焊垫 上，其中该电源控制IC是直立式堆栈于该第一与第二共享漏极金属氧化物半 导体场效应晶体管(MOSFETs)的至少一个的顶面上。

2.如权利要求1所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该第一与第二 MOSFETs是双共享漏极MOSFETs，其在单一半导体芯片中具有分开的源极与漏 极，但是共享一共享的漏极。

3.如权利要求1所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该第一与第二 共享漏极MOSFETs是相同源极与栅极尺寸且是沿着该双共享漏极MOSFETs的 中心线对称。

4.如权利要求1所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该电源控制 IC是直立式堆栈于该第一与第二共享漏极MOSFETs的两者顶面上，因此该电 源控制IC迭置于该第一与第二共享漏极MOSFETs的两者上。

5.如权利要求4所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中连接至该电源 控制IC的一供应电压输入(VCC)与一接地(VSS)的引线是位于该共享晶粒 焊垫的一第一侧上，而该连接至该电池防护封装结构之输出(OUTM)与该电 源控制IC之一电压监控(VM)接脚的引线是位于该共享晶粒焊垫的一第二侧， 其是相对于该第一侧。

6.如权利要求4所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该第一共享漏 极MOSFET的源极焊垫是电性连接至该电池防护封装结构的一输出OUTM。

7.如权利要求6所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该第二共享漏 极MOSFET的该源极焊垫是电性连接至该电源控制IC的一接地端(VSS)。

8.如权利要求7所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该电源控制 IC的输出端是电性连接至该第一与第二共享漏极MOSFETs的第一与第二栅极 焊垫(G)。

9.如权利要求2所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该第一共享漏 极MOSFET在尺寸上是小于该第二共享漏极MOSFETs。

10.如权利要求9所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该电源控制 IC是直立式封装于该第二共享漏极MOSFET的顶面上。

11.如权利要求10所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该电源控制 IC的一长侧是平行于该第二共享漏极MOSFET的一长侧。

12.如权利要求11所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该电源控制 IC的一长侧是与该第二共享漏极MOSFET的一长侧成直角。

13.如权利要求1所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该第一与第 二共享漏极MOSFETs是采肩并肩方式嵌设，且该第一与第二共享漏极MOSFETs 间具有一间距。

14.如权利要求13所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该第一与第 二共享漏极MOSFETs是相同尺寸。

15.如权利要求13所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该电源控制 IC是直立式堆栈于该第一与第二共享漏极MOSFETs两者的顶面上，因此该电 源控制IC迭置于该第一与第二共享漏极MOSFETs两者。

16.如权利要求13所述的电池防护封装结构，其特征在于，其中该第一共享 漏极MOSFET的尺寸是小于该第二共享漏极MOSFET。