[实用新型]一种新型晶体生长炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶体硅生长炉，尤其是一种新型晶体生长炉。

背景技术

在现有单晶硅加工过程中，根据晶体生长工艺的要求，熔化硅料时，坩埚必须升降于炉室内的加热区内，晶体生长时坩埚不但要位于加热区内而且坩埚内液面要与其上方的导流筒保持一定且较近的距离。制备单晶所需的固体多晶硅料多为块状，熔化前与熔化后所占空间差别很大，要想让液面与导流筒保持近距离就必须化完料后再调整两者位置关系，目前，常用的方法是化料后升降坩埚，但炉室内加热区范围较窄，如增加投料量坩埚将降至超出加热区，坩埚升降幅度受限。

同时，导流筒的底端面通常位于坩埚的区域内，在向导流筒内加固体多晶硅料时则须避开导流筒，使加料量减少，影响了生产效率。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的问题，本实用新型提供了一种可实现导流筒与坩埚距离调节的晶体生长炉。

为实现上述目的，本实用新型的新型晶体生长炉，包括炉体、炉盖、坩埚、导流筒，坩埚位于炉体内部，导流筒位于炉体内坩埚的上方，炉盖上安装有一个导流筒提升机构。

作为对本实用新型的改进，本实用新型的新型晶体生长炉，导流筒提升机构包括支撑套筒、丝杠、连接杆、支架，支撑套筒固装在炉盖外部，丝杠穿过支撑套筒端部的顶盖，丝杠的螺杆部分与连接杆置于支撑套筒内，连接杆杆内设置内螺纹与丝杠的外螺纹相配合，支架与连接杆联接，导流筒安装在支架上。

作为对本实用新型的进一步改进，本实用新型的新型晶体生长炉，在丝杠的顶端配装有转动手轮，连接杆与支撑套筒间隙处设有轴瓦，位于连接杆轴瓦的上方设有密封波纹管。

该装置中由于导流筒设有与炉盖相连的提升机构，可按生产需要将坩埚上方的导流筒进行升降，保证了坩埚内液面要与其上方的导流筒保持了一定距离，同时增大了坩埚的有效空间，使原料装料量增加约三分之一，从而使产量增加，经济效益非常明显。

附图说明

图1为本实用新型的新型晶体生长炉的结构图。

图2为本实用新型的新型生长炉导流筒提升机构的剖视图。

具体实施方式

由图1、图2可知，本实用新型的新型晶体生长炉，包括炉体1、炉盖2、坩埚3、导流筒4，坩埚3位于炉体1内部，导流筒4位于炉体1内坩埚3的上方，炉盖2上安装有一个导流筒提升机构，导流筒提升机构穿过炉盖2，一部分位于炉盖2内部，一部分位于炉盖2外部，支撑套筒9固装在炉盖2外部，丝杠6穿过支撑套筒9端部的顶盖，丝杠6的螺杆部分与连接杆7置于支撑套筒9内，连接杆7杆内设置内螺纹与丝杠6的外螺纹相配合，支架8与连接杆7联接，导流筒4安装在支架8上，在丝杠6的顶端配装有转动手轮5，连接杆7与支撑套筒9间隙处设有轴瓦10，位于连接杆轴瓦10的上方设有密封波纹管11。

装料前，转动手轮5带动丝杠6旋转，通过连接杆7带动支架8将导流筒4匀速升起后将炉盖2提升旋开，将硅原料装入坩埚3后升降到加热区内，旋合炉盖2。待原料熔为液体后，转动手轮5匀速降下导流筒4置于液面上规定位置。

丝杠的上端可用轴承使其转动灵活省力，上端的支撑套筒9上开有长方形视口，可定期润滑丝杠副，避免出现卡滞现象。波纹管11连接密封保证炉体内惰性气体纯度。轴瓦10保证了连接杆7滑动顺畅、精密。