[实用新型]单晶硅加料装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及制造单晶硅的设备领域，尤其是一种单晶硅加料装置。

背景技术

单晶硅大多是用直拉法制备。在这种方法中，单晶硅锭的生产步骤如下：在一个熔炉中熔化多晶硅；将一个籽晶浸入硅熔体；以一种足够达到晶锭所希望直径的方式提拉籽晶；并在那个直径下生长单晶。通常用的坩埚一般一次只能加料80Kg，制备80Kg的硅熔体，由80Kg的硅熔体所产生的单晶硅锭。根据需要若想制备大于80Kg的硅熔体产生的单晶硅锭，比如100Kg和120Kg的硅熔体，在加料过程中达到80Kg后，由于熔炉和加料漏斗的限制，就无法再继续加料。给生产带来了许多麻烦，生产时间长，生产效率低。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：为了克服现有单晶硅制备中，由于受熔炉和加料漏斗限制，一次性加料多少无法调节而带来的生产问题，本实用新型提供了一种单晶硅加料装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种单晶硅加料装置，具有熔炉、支架和加料漏斗，熔炉上端入口处周圈设置支架，支架上放置加料漏斗，所述的加料漏斗为收缩性漏斗。

所述的加料漏斗具有至少两个可收缩嵌套在一起的分漏斗，可根据需要调节加料的多少。

所述的加料漏斗上设置有拉动相对在下的分漏斗向上移动嵌进在上分漏斗的提升机构。

本实用新型的有益效果是：收缩性的加料漏斗可根据需要调节加料的多少，操作简单方便，缩短了生产时间，提高了工作效率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是现有加料装置的结构示意图。

图2是本实用新型加料装置的结构示意图。

图3是相对图2加料较多时的状态示意图。

图中：1.熔炉，2.支架，3.加料漏斗，4.分漏斗。

具体实施方式

如图1所示，现有单晶硅的加料装置中熔炉1′上端的支架2′上放置有加料漏斗3′，所述的加料漏斗3′不具有可收缩性，不便于调节加料的多少。

如图2所示，一种单晶硅加料装置的实施例，具有熔炉1、支架2和加料漏斗3，熔炉1上端入口处周圈设置支架2，支架2上放置加料漏斗3，所述的加料漏斗3为收缩性漏斗，加料漏斗3具有至少两个可收缩嵌套在一起的分漏斗4，加料漏斗3上设置有拉动相对在下的分漏斗4向上移动嵌进在上分漏斗4内的提升机构，提升机构在图中未画出。

若图2中加料为80Kg，则图3中加料就大于80Kg。在加料超过80Kg时，在下的分漏斗4向上移动嵌进在上分漏斗4内，这样就便于继续加料，操作简便。