[实用新型]抛光垫

说明书

技术领域

本实用新型是关于一种抛光垫，特别是有关于一种具有两种沟槽态样的抛光垫。

背景技术

电子芯片是由沉积(Deposition)不同层化材料而形成，例如硅圆片即是层化材料的基材(Substrate)之一，当每一个新的材料层被沉积上时，常需要使用研磨或抛光的步骤，以去除多余的沉积层材料，以使芯片平坦化，或是达成其它的目的，而此种抛光的过程常被称为化学机械抛光平坦化(Chemical Mechanical Polishing，CMP)。由于芯片是由各种不同的薄膜(ThinFilm)材料层所堆积形成，因此必须经过多次的CMP抛光步骤，才能将材料层由芯片的表面均匀去除，而达到平坦化的目的。

而通常在进行抛光作业时，会于芯片与抛光垫之间导入化学抛光液(slurry)，由沉积的薄膜材料层与化学抛光液所产生的化学作用，或是与化学抛光液中的颗粒发生机械作用，以移除部份芯片表面多余的薄膜层，但是由于抛光液会存在于抛光垫与芯片之间，容易使抛光垫与芯片之间完全贴合，而导致抛光垫与芯片之间的摩擦力消失，因此为了使抛光作业达到较佳的抛光效果，目前最为普遍的作法是在抛光垫的表面上刻设沟槽，除了可增加抛光垫与芯片之间的摩擦力，第二可确保抛光液均匀分布于抛光垫的表面上，第三可使悬浮于抛光液中的研磨颗粒与抛光碎屑经由沟槽而流出。

在公知技术当中，有许多专利皆针对抛光垫表面上刻设沟槽的样式进行改良，如中国台湾专利I250572，请参考图1A，其沟槽11形成在抛光垫10表面侧，并且是从环状、格子状及螺旋状中至少选出一种，做为其形状的沟槽11、凹部、贯穿于抛光垫10表里的贯穿孔当中选出的部位，图2A为图1A图a-a’剖面线的剖面图；如中国台湾专利TW200744786，请参考图2，其抛光垫20在其表面上具有二组凹槽，一组为第一种凹槽21，其与从抛光面20的中心向周围延伸的单一虚拟直线相交，此组凹槽21彼此之间不相交，一组为第二种凹槽22，其自抛光面的中心部分向周围部分延伸，且由在中心部分区域彼此接触的第二种凹槽22及在中心部分区域未与任何其它第二种凹槽22接触的第二种凹槽22所组成，且彼此不相交。

虽然上述专利的主要目的在于有效的抑制研磨时内部产生的杂质等造成的刮痕，然而，当抛光而产生的碎屑或是抛光液中的研磨颗粒较沟槽为大，无法实时由抛光垫的沟槽中流出，因此残留的研磨颗粒或沉淀物，会形成较大的颗粒，容易导致抛光物的表面刮伤与损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种抛光垫，以解决公知技术中存在的缺陷。

为实现上述目的，本实用新型提供的抛光垫，此抛光垫具有一抛光面，且于抛光面上形成至少一第一沟槽以及至少一第二沟槽，其中抛光垫的特征在于：第一沟槽与第二沟槽相连通，且第一沟槽的宽度较第二沟槽的宽度为大，以及第一沟槽的深度较第二沟槽的深度为大。故以抛光垫进行研磨作业时，因抛光而产生的碎屑或是抛光液中的研磨颗粒，较为细小者或浑浊的抛光液可由第二沟槽流出抛光垫，较为粗大的碎屑或颗粒可由第一沟槽流出抛光垫，因此使抛光垫不易因残留研磨颗粒或沉淀物，而导致抛光物的表面刮伤与损坏。

本实用新型的效果是：

1)其具有两种沟槽态样的抛光垫，故研磨时较为细小者或浑浊的抛光液可由第二沟槽流出抛光垫，较为粗大的碎屑或颗粒可由第一沟槽流出抛光垫，因此使抛光垫不易因残留研磨颗粒或沉淀物，而导致抛光物的表面刮伤与损坏。

2)其抛光面沟槽的设计有助于增加抛光垫与待磨物之间的摩擦力。

3)其抛光面沟槽的设计有助于研磨时以离心力作用将研磨液甩出，避免研磨颗粒的残留或沉积。

4)其抛光垫的沟槽可确保抛光液能均匀分布于抛光面上。

附图说明

图1A为一抛光垫的正视图(公知技术)。

图1B为一抛光垫的a-a’剖面线的剖面图(公知技术)。

图2为一抛光垫的正视图(公知技术)。

图3A为一抛光垫的正视图。

图3B为一抛光垫的b-b’剖面线的剖面图。

图4为一抛光垫的正视图。

图5为一抛光垫的正视图。

附图中主要组件符号说明

10       抛光垫

11       沟槽

20       抛光垫

21       第一种凹槽

22       第二种凹槽

30       抛光垫

31       第一种凹槽

32       第二种凹槽

40       抛光垫