[实用新型]全差分压控振荡器电路无效

专利信息
申请号: 200820145144.6 申请日: 2008-12-30
公开(公告)号: CN201323551Y 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 戴宇杰;吕英杰;张小兴;邹玉峰 申请(专利权)人: 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司
主分类号: H03B5/02 分类号: H03B5/02;H03B5/04;H03B5/06;G05F3/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300457天津市开*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 全差分 压控振荡器 电路
【权利要求书】:

1、一种全差分压控振荡器电路,其特征在于它由至少三级相互级联的完全相同的全差分单元电路组成。

2、根据权利要求1所说的一种全差分压控振荡器电路,其特征在于所说的全差分单元电路分为由晶体管PMOS1和晶体管PMOS2组成的电流源全差分单元电路或由晶体管PMOS1组成的电流源全差分单元电路。

3、根据权利要求2所说的一种全差分压控振荡器电路,其特征在于所说的由晶体管PMOS1和晶体管PMOS2组成的电流源全差分单元电路包括由晶体管PMOS1和晶体管PMOS2组成的电流源、由晶体管PMOS3和晶体管PMOS4组成的差分输入对、由晶体管NMOS1和晶体管NMOS2组成的正反馈有源负载及由晶体管NMOS3、晶体管NMOS4、晶体管NMOS5和晶体管NMOS6组成的对输出信号振幅进行限幅控制的电压钳位电路;其中,晶体管PMOS1的源极连接电源,栅极连接偏置电压1,漏极连接晶体管PMOS2的源极;所说的晶体管PMOS2的栅极连接偏置电压2,漏极分别连接晶体管PMOS3的源极和晶体管PMOS4的源极;所说的晶体管PMOS3的栅极分别连接晶体管NMOS5的栅极以及正相输入端子,晶体管PMOS3的漏极分别连接反相输出端子、晶体管NMOS2的栅极、晶体管NMOS1的漏极、晶体管NMOS3的漏极以及晶体管NMOS5的漏极;所说的晶体管PMOS4的栅极分别连接晶体管NMOS6的栅极以及反相输入端子,晶体管PMOS4的漏极与正相输出端子、晶体管NMOS1的栅极、晶体管NMOS2的漏极、晶体管NMOS4的漏极、以及晶体管NMOS6的漏极相连;所说的晶体管NMOS1的源极和晶体管NMOS2的源极直接接地;所说的晶体管NMOS3的栅极连接其自身的漏极;所说的晶体管NMOS4的栅极连接其自身的漏极;所说的晶体管NMOS3的源极、晶体管NMOS4的源极、晶体管NMOS5的源极和晶体管NMOS6的源极直接接地。

4、根据权利要求2所说的一种全差分压控振荡器电路,其特征在于所说的由晶体管PMOS1组成的电流源全差分单元电路包括由晶体管PMOS1组成的电流源、由晶体管PMOS3和晶体管PMOS4组成的差分输入对、由晶体管NMOS1和晶体管NMOS2组成的正反馈有源负载及由晶体管NMOS3、晶体管NMOS4、晶体管NMOS5和晶体管NMOS6组成的对输出信号振幅进行限幅控制的电压钳位电路;其中,晶体管PMOS1的源极连接电源,栅极连接偏置电压,漏极分别连接晶体管PMOS3的源极和晶体管PMOS4的源极;所说的晶体管PMOS3的栅极分别连接晶体管NMOS5的栅极以及正相输入端子,晶体管PMOS3的漏极分别连接反相输出端子、晶体管NMOS2的栅极、晶体管NMOS1的漏极、晶体管NMOS3的漏极以及晶体管NMOS5的漏极;所说的晶体管PMOS4的栅极分别连接晶体管NMOS6的栅极以及反相输入端子,晶体管PMOS4的漏极与正相输出端子、晶体管NMOS1的栅极、晶体管NMOS2的漏极、晶体管NMOS4的漏极、以及晶体管NMOS6的漏极相连;所说的晶体管NMOS1的源极和晶体管NMOS2的源极直接接地;所说的晶体管NMOS3的栅极连接其自身的漏极;所说的晶体管NMOS4的栅极连接其自身的漏极;所说的晶体管NMOS3的源极、晶体管NMOS4的源极、晶体管NMOS5的源极和晶体管NMOS6的源极直接接地。

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