[实用新型]半导体基材和半导体装置有效
| 申请号： | 200820139461.7 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN201303005Y | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 李连湘 | 申请（专利权）人： | 富跃企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/373;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 基材 装置 | ||
1.一种半导体基材，其特征在于：
一至少三层叠合在一起的金属叠层，其中奇数层为一第一金属，偶数层为不同于所述第一金属的一第二金属，所述半导体基材的热膨胀系数与待形成其上的一成长层的热膨胀系数相匹配。
2.如权利要求1的半导体基材，其特征在于所述成长层为一发光层或一电极层。
3.一种半导体基材，其特征在于：
一至少三层叠合在一起的金属叠层，其中奇数层为铜，偶数层为钼，所述半导体基材的热膨胀系数与待形成其上的一成长层的热膨胀系数相匹配。
4.一种半导体基材，其特征在于：
一至少三层叠合在一起的金属叠层，其中奇数层为钼，偶数层为铜，所述半导体基材的热膨胀系数与待形成其上的一成长层的热膨胀系数相匹配。
5.一种半导体基材，其特征在于：
一至少三层叠合在一起的金属叠层，其中奇数层为一第一金属，偶数层为不同于所述第一金属的一第二金属，所述半导体基材的热膨胀系数为6～8ppm/°K，且所述半导体基材的所述热膨胀系数与待形成其上的一成长层的热膨胀系数相匹配。
6.一种半导体基材，其特征在于：
一至少三层叠合在一起的金属叠层，其中奇数层为一第一金属，偶数层为不同于所述第一金属的一第二金属，所述半导体基材的热传导率为200～350w/mk，所述半导体基材的热膨胀系数与待形成其上的一成长层的热膨胀系数相匹配。
7.一种半导体装置，包括：
一至少三层金属层叠合在一起的基材，其中奇数层为一第一金属，偶数层为不同于所述第一金属的一第二金属；及
一成长层，形成在所述基材上，
其中所述基材的热膨胀系数与所述成长层的热膨胀系数相匹配。
8.如权利要求7的半导体装置，其特征在于所述半导体装置为一发光二极管或功率放大器。
9.如权利要求7的半导体装置，其特征在于所述成长层为一发光层或一电极层。
10.一种半导体装置，其特征在于：
一至少三层金属层叠合在一起的基材，其中奇数层为铜，偶数层为钼；以及
一成长层，形成在所述基材上，
其中所述基材的热膨胀系数与所述成长层的热膨胀系数相匹配。
11.一种半导体装置，其特征在于：
一至少三层金属层叠合在一起的基材，其中奇数层为钼，偶数层为铜；以及
一成长层，形成在所述基材上，
其中所述基材的热膨胀系数与所述成长层的热膨胀系数相匹配。
12.一种半导体装置，其特征在于：
一至少三层金属层叠合在一起的基材，其中奇数层为一第一金属，偶数层为不同于所述第一金属的一第二金属；以及
一成长层，形成在所述基材上，
其中所述基材的热膨胀系数为6～8ppm/°K，所述基材的所述热膨胀系数与所述成长层的热膨胀系数相匹配。
13.一种半导体装置，其特征在于：
一至少三层金属层叠合在一起的基材，其中奇数层为一第一金属，偶数层为不同于所述第一金属的一第二金属；以及
一成长层，形成在所述基材上，
其中所述基材的热传导率为200～350w/mk，所述基材的热膨胀系数与所述成长层的热膨胀系数相匹配。
14.一种半导体装置，其特征在于：
一至少三层金属层叠合在一起的导线架，其中奇数层为一第一金属，偶数层为不同于所述第一金属的一第二金属；
一基材，设置于所述导线架上；及
一成长层，形成于所述基材上，
其中所述导线架的热膨胀系数与所述成长层和所述基材的热膨胀系数相匹配。
15.如权利要求14的半导体装置，其特征在于所述半导体装置为一发光二极管或功率放大器。
16.如如权利要求14的半导体装置，其特征在于所述成长层为一发光层或一电极层。
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