[实用新型]增益辅助放大电路有效
| 申请号: | 200820137034.5 | 申请日: | 2008-10-07 |
| 公开(公告)号: | CN201323554Y | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
| 发明(设计)人: | 付璟军;赵辉;沈晔 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518118广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 增益 辅助 放大 电路 | ||
1.一种增益辅助放大电路,通过对双端输入的差分信号进行处理,并处理的结果由双端输出,其特征在于,所述增益辅助放大电路包括:
源跟随电路,用于扩大所述增益辅助放大电路的输入范围,对从第一输入端和第二输入端输入的差分信号进行调整,输出调整后的差分信号;
差分放大电路,对所述源跟随电路输入的调整后的差分信号进行差分放大处理,生成差分放大信号,所述差分放大信号由第一输出端和第二输出端进行输出。
2.根据权利要求1所述的增益辅助放大电路,其特征在于,所述增益辅助放大电路包括:
N型增益辅助放大电路和P型增益辅助放大电路。
3.根据权利要求2所述的增益辅助放大电路,其特征在于,所述N型增益辅助放大电路包括P型源跟随电路和N型差分放大电路,其中,所述P型源跟随电路包括:
第一电阻,其两端分别与低电位和第一PMOS晶体管的源极连接;
第二电阻,其两端分别与低电位和第二PMOS晶体管的源极连接;
第一PMOS晶体管,其漏极与高电位连接,栅极与第一输入端连接,源极与第一电阻的一端连接;
第二PMOS晶体管,其漏极与高电位连接,栅极与第二输入端连接,源极与第二电阻的一端连接;
所述N型差分放大电路包括:
第三电阻器,其一端与高电位连接,另一端分别与第一NMOS晶体管和第三NMOS晶体管的源极连接;
第四电阻器,其一端与高电位连接,另一端分别与第二NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的源极连接;
第一NMOS晶体管,其漏极和栅极分别与第一输出端连接,源极与第三电阻器的一端连接;第二NMOS晶体管,其漏极和栅极分别与第二输出端连接,源极与第四电阻器的一端连接;
第三NMOS晶体管,其漏极与第二输出端连接,栅极与第一输出端连接,源极与第三电阻器的一端连接;
第四NMOS晶体管,其漏极与第一输出端连接,栅极与第二输出端连接,源极与第四电阻器的一端连接;
恒定电流源,分别与第三晶体管和第四PMOS晶体管的源极与正电位点连接,用于产生恒定的电流;
第三PMOS晶体管,其漏极与第一输出端连接,栅极与第一PMOS晶体管的源极连接,源极与电流源的正电位点连接;
第四PMOS晶体管,其漏极与第二输出端连接,栅极与第二PMOS晶体管的源极连接,源极与电流源的正电位连接。
4.根据权利要求2所述的增益辅助放大电路,其特征在于,所述P型增益辅助放大电路包括N型源跟随电路和P型差分放大电路,其中,所述N型源跟随电路包括:
第一电阻,其两端分别与高电位和第一NMOS晶体管的源极连接;
第二电阻,其两端分别与高电位和第二NMOS晶体管的源极连接;
第一PMOS晶体管,其漏极与低电位连接,栅极与第一输入端连接,源极与第一电阻的一端连接;
第二NMOS晶体管,其漏极与低电位连接,栅极与第二输入端连接,源极与第二电阻的一端连接;
P型差分放大电路包括:
第三电阻器,其一端与低电位连接,另一端分别与第一PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的源极连接;
第四电阻器,其一端与低电位连接,另一端分别与第二PMOS晶体管和第四PMOS晶体管的源极连接;
第一PMOS晶体管,其漏极和栅极分别与第一输出端连接,源极与第三电阻器的一端连接;
第二PMOS晶体管,其漏极和栅极分别与第二输出端连接,源极与第四电阻器的一端连接;
第三PMOS晶体管,其漏极与第二输出端连接,栅极与第一输出端连接,源极与第三电阻器的一端连接;
第四PMOS晶体管,其漏极与第一输出端连接,栅极与第二输出端连接,源极与第四电阻器的一端连接;
恒定电流源,分别与第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的源极与负电位点连接,用于产生恒定的电流;
第三NMOS晶体管,其漏极与第一输出端连接,栅极与第一NMOS晶体管的源极连接,源极与电流源的负电位点连接;
第四NMOS晶体管,其漏极与第二输出端连接,栅极与第二PMOS晶体管的源极连接,源极与电流源的负电位点连接。
5.根据权利要求3或4所述的增益辅助放大电路,其特征在于:
所述第一电阻器和第二电阻器为线性晶体管或恒定电流源。
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