[实用新型]一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置

权利要求书

1、一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置，其特征在于：所述动态磁控弧源装置设有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座，靶材安装于靶材底座上，动态控制磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成，主控磁场发生装置放置于靶材后面，和靶材同轴放置，辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周围。

2、按照权利要求1所述的改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置，其特征在于：所述主控磁场发生装置为电磁线圈和磁轭构成，磁轭由外周的导磁筒和中心的导磁柱构成，导磁筒和导磁柱的下端由同样的导磁材料连接或者做成一体的，磁轭上端保持开口；电磁线圈套在磁轭中心的磁柱上，放置于导磁筒和导磁柱中间的空隙位置。

3、按照权利要求2所述的改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置，其特征在于：所述主控磁场发生装置中的电磁线圈和磁轭的形状是圆的或者方的，磁轭中的导磁筒和导磁柱以及线圈的形状保持一致，三者同轴。

4.按照权利要求2所述的改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置，其特征在于：所述主控磁场发生装置中的线圈的内径略大于导磁柱的直径，外径略小于导磁筒的内径，线圈的高度低于磁轭的高度。

5.按照权利要求2所述的改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置，其特征在于：所述主控磁场发生装置中的电磁线圈由漆包线绕制在线圈骨架上，线圈内外通过绝缘保护，磁轭由高磁导率的镀镍纯铁或者其他材料制作。

6.按照权利要求2所述的改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置，其特征在于：所述主控磁场发生装置中的导磁筒和导磁柱顶端是平的或者有斜面；导磁筒和导磁柱顶端是斜面时，导磁柱顶端的斜面为轴对称上窄下宽的凸台状，导磁筒顶端的斜面与导磁柱顶端的斜面对称，磁轭的斜面呈W形。

7.按照权利要求2所述的改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置，其特征在于：所述辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置中的导磁筒的外周或者靶材底座的靶材底柱外周，和主控磁场发生装置或者靶材底柱同轴，辅助磁场发生装置与主控磁场发生装置或者靶材底柱之间通过绝缘保护，辅助磁场发生装置的位置可调。

8.按照权利要求1所述的改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置，其特征在于：所述辅助磁场发生装置形状和主控磁场发生装置一致，由漆包线绕制的电磁线圈组成。

9.按照权利要求1所述的改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置，其特征在于：所述主控磁场发生装置与辅助磁场发生装置中的线圈单独调节或者共同调节，两者之间通反向电流；通过调节主控磁场发生装置与辅助磁场发生装置中线圈电流大小调节动态磁场的强度，线圈的电流形式是直流、交流或者脉冲的，可实现对弧斑的多种控制方式。

10.按照权利要求1所述的改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置，其特征在于：所述靶材直接水冷或者间接水冷，直接水冷的主控磁场发生装置放在靶材底柱圆筒之间冷却水中或者冷却水通道外靶材底柱圆筒之间，间接水冷的主控磁场发生装置放在冷却水通道外底柱圆筒之间。