[发明专利]高散热性封装基板的制作方法有效

专利信息
申请号: 200810304591.6 申请日: 2008-09-19
公开(公告)号: CN101436547A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 林文强;王家忠;陈振重 申请(专利权)人: 钰桥半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H05K3/44;H05K3/46
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 代理人: 何 为
地址: 中国台湾台北*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 散热 封装 制作方法
【权利要求书】:

1.一种高散热性封装基板的制作方法,其特征在于:其至少包含下列步骤:

A、提供一铜核基板;

B、分别于该铜核基板的第一面上形成第一阻层,以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第二阻层,于其中,该第一阻层上形成数个第一开口,并显露其下该铜核基板的第一面;

C、于数个第一开口下方形成数个第一凹槽;

D、移除该第一阻层及该第二阻层,形成具有第一线路层的铜核基板;

E、于数个第一凹槽内形成第一电性阻绝层,并显露该第一线路层;

F、于该第一线路层与该第一电性阻绝层上形成第一介电层及第一金属层,于其中,该第一介电层及该第一金属层形成有数个定义置晶位置的中空凹槽,该中空凹槽下方显露该第一线路层,且该中空凹槽与第一线路层上的置晶接垫位置相符;

G、该第一金属层与该第一介电层上形成数个第二开口,并显露其下的第一线路层;

H、于该铜核基板的第二面上形成第三阻层;

I、于数个第二开口中及数个中空凹槽所显露的第一线路层上形成第二金属层;

J、移除该第三阻层;

K、分别于该第二金属层上形成一第四阻层,以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第五阻层,其中,该第四阻层上形成数个第三开口,并显露其下的第二金属层;

L、移除该第三开口下方的第二金属层及第一金属层;

M、移除该第四阻层及该第五阻层,并形成一由第一金属层和第二金属层组成的第二线路层,至此,完成一具有铜核基板支撑的双层线路基板,并直接进行步骤N;以及

N、于该双层线路基板上进行置晶侧线路层与球侧电性接脚接垫的制作,于其中,在该第二线路层表面形成第一防焊层,且在该第一防焊层上形成数个第四开口,以显露第二线路层作为电性连接垫的部分,接着再分别于该第一防焊层上形成完全覆盖状的第六阻层,以及于该铜核基板的第二面上形成第七阻层,并且在该第七阻层上形成数个第五开口,以显露其下该铜核基板的第二面,之后于数个第五开口上形成数个第二凹槽,并显露数个第五开口下方的第一电性阻绝层或第一线路层,接着再移除该第六阻层及该第七阻层,以形成数个柱状接脚,之后并于数个第二凹槽内形成第二电性阻绝层,以显露球侧数个电性接脚接垫,最后,分别于数个第四开口上形成第一阻障层,以及于数个电性接脚接垫上形成第二阻障层,该第一、二阻障层为电镀镍金或无电镀镍金或电镀银或电镀锡,至此,完成一封装基板。

2.如权利要求1所述的高散热性封装基板的制作方法,其特征在于:所述铜核基板为不含介电层材料的铜板。

3.如权利要求1所述的高散热性封装基板的制作方法,其特征在于:所述第一~七阻层是以贴合、印刷或旋转涂布所为的干膜或湿膜的高感旋光性光阻。

4.如权利要求1所述的高散热性封装基板的制作方法,其特征在于:所述数个第一、三、四及五开口以曝光及显影方式形成。

5.如权利要求1所述的高散热性封装基板的制作方法,其特征在于:所述步骤C形成数个第一凹槽、该步骤L移除该第一、二金属层、及步骤N形成数个第二凹槽的方法为蚀刻。

6.如权利要求1所述的高散热性封装基板的制作方法,其特征在于:所述第一~七阻层的移除方法为剥离。

7.如权利要求1所述的高散热性封装基板的制作方法,其特征在于:所述第一、二电性阻绝层以直接压合或印刷方式形成。

8.如权利要求1所述的高散热性封装基板的制作方法,其特征在于:所述第一、二电性阻绝层及该第一介电层为环氧树脂绝缘膜、苯环丁烯、双马来亚酰胺-三氮杂苯树脂、环氧树脂板、聚酰亚胺、聚四氟乙烯或环氧树脂及玻璃纤维所组成之一。

9.如权利要求1所述的高散热性封装基板的制作方法,其特征在于:所述步骤F以直接压合该第一介电层及该第一金属层于其上,或采取贴合该第一介电层后,再形成该第一金属层。

10.如权利要求1所述的高散热性封装基板的制作方法,其特征在于:所述数个中空凹槽的形成方式为冲压、激光或铣刀成形。

11.如权利要求1所述的高散热性封装基板的制作方法,其特征在于:所述数个第二开口是先做开铜窗后,再经由激光钻孔的方式形成,亦或是直接以激光钻孔的方式形成。

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