[发明专利]一种用于硅晶片抛光的抛光组合物

权利要求书

1.一种用于硅晶片抛光的抛光组合物，其组分及配比为：

所述抛光界面控制剂为多羟基纤维素醚。

2.根据权利要求1所述的用于硅晶片抛光的抛光组合物，其特征在于，所述 二氧化硅为胶体二氧化硅，二氧化硅颗粒粒径为1～500nm。

3.根据权利要求1所述的用于硅晶片抛光的抛光组合物，其特征在于，所述 碱性化合物为氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钾、碳酸钾、 碳酸氢钠、碳酸钠、四甲基氢氧化铵、氨、二甲基胺、三甲基胺、乙基胺、二 乙基胺、三乙基胺、氨基丙醇、四乙基胺、乙醇胺、二乙基三胺、三乙基四胺、 羟乙基乙二胺、六亚甲基二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、无水哌嗪、六 水哌嗪中的一种或几种。

4.根据权利要求3所述的用于硅晶片抛光的抛光组合物，其特征在于，所述 氨基丙醇为异丙醇胺。

5.根据权利要求1所述的用于硅晶片抛光的抛光组合物，其特征在于，所述 螯合剂为乙二胺四乙酸、丙二胺四乙酸、二乙基三胺五乙酸、三乙基四胺六乙 酸、乙二胺四亚乙基膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、二乙三胺五亚乙基膦酸、二 乙三胺五亚甲基膦酸、三乙四胺六亚乙基膦酸、丙二胺四亚乙基膦酸以及丙二 胺四亚甲基膦酸，以及它们的铵盐、钾盐、钠盐和锂盐中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的用于硅晶片抛光的抛光组合物，其特征在于，所述 表面活性剂为非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂或阳离子表面活性剂中的 一种或几种。

7.根据权利要求1所述的用于硅晶片抛光的抛光组合物，其特征在于，所述 多羟基纤维素醚为二羟丙基纤维素醚，结构式为：

其中，n为≥2的整数；

结构式中R为以下基团中的一种：

R为

8.根据权利要求6所述的用于硅晶片抛光的抛光组合物，所述非离子表面活性 剂为聚二甲基硅氧烷、二甲基聚硅氧烷聚醚共聚物、聚氧乙烯(9)月桂醇醚、脂 肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、聚氧丙烯聚氧乙烯 嵌段共聚物、聚丙烯酰胺中的一种或几种；阴离子表面活性剂为十二烷基苯磺 酸钠、十二烷基磺酸钠，α-烯烃磺酸钠、丁二酸二异辛酯磺酸钠、脂肪醇(10)聚 氧乙烯、醚羧酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠中的一种或几种；阳离子表面活 性剂为十四烷基二甲基苄基氯化铵、十二烷基三甲基氯化铵、瓜耳胶羟丙基三 甲基氯化铵、溴化十二烷基三甲基铵、溴化十二烷基二甲基苄基铵中的一种或 几种。

9.根据权利要求7所述的用于硅晶片抛光的抛光组合物，其特征在于，所述二 羟丙基纤维素醚分子量为30～300万。

10.一种用于硅晶片抛光的抛光组合物的制备方法，其特征在于，所述方法 具体步骤为，

1)将胶体二氧化硅用搅拌器将其分散于去离子水中，得到磨料浓度为 0.05～50wt％的浆液；

2)加入抛光界面控制剂，占抛光组合物的0.001％～10wt％，在搅拌器中使 抛光界面控制剂与胶体二氧化硅充分混合，且抛光组合物中胶体二氧化硅的与 抛光界面控制剂的质量比为10～500，所述抛光界面控制剂为多羟基纤维素醚；

3)依次加入表面活性剂、螯合剂，分别占抛光组合物的0.001％～1wt％和 0.001～1wt％，以保证抛光组合物体系保持稳定；

4)加入碱性化合物，占抛光组合物的0.001～10wt％，并将抛光组合物pH调 节至8.5～12；

5)用孔径为0.5μm的滤芯对抛光组合物进行过滤，以除去抛光组合物中的 大颗粒杂质，即获得本发明所述的抛光组合物。