[发明专利]等离子装置工艺腔预处理的方法

权利要求书

1.一种等离子体装置工艺腔预处理的方法，用于在工艺腔未进行 工艺之前对所述工艺腔的裸露的含有铝材质的内壁或内部部件表面形 成保护层，其特征在于，包括：

含氟等离子体扩散至整个工艺腔，用含氟等离子体对所述内壁及内 部部件表面执行氟化处理，以在整个所述内壁及内部部件表面形成铝氟 化合物阻挡层，形成的铝氟化合物与所述内壁及内部部件的结合力强。

2.如权利要求1所述的等离子体装置工艺腔预处理的方法，其特 征在于，形成所述含氟等离子体的步骤包括：

将含氟气体通入等离子体发生器中；

在等离子体发生器中将含氟气体电离，形成含氟等离子体；

将所述的含氟等离子体导入所述工艺腔中。

3.如权利要求2所述的等离子体装置工艺腔预处理的方法，其特 征在于：将所述等离子体导入所述工艺腔的方式包括由所述工艺腔顶部 导入、由所述工艺腔底部导入或由所述工艺侧面导入中的一种或任意两 种；或者上述三种方式同时进行。

4.如权利要求1所述的等离子体装置工艺腔预处理的方法，其特 征在于，形成所述含氟等离子体的步骤包括：

将含氟气体通入所述工艺腔中；

激励所述工艺腔中的含氟气体电离，形成含氟等离子体。

5.如权利要求2至4任一权利要求所述的等离子体装置工艺腔预 处理的方法，其特征在于：所述含氟气体为碳氟化合物。

6.如权利要求5所述的等离子体装置工艺腔预处理的方法，其特 征在于：所述碳氟化合物包括CF₄、C₂F₆或C₄F₈中的一种或组合。

7.如权利要求2至4任一权利要求所述的等离子体装置工艺腔预 处理的方法，其特征在于：执行所述氟化处理时工艺腔内的温度为50 ℃至70℃，压力为50mT至150mT。

8.如权利要求1至4任一权利要求所述的等离子体装置工艺腔预 处理的方法，其特征在于：通过用发射光谱法监测是否有氟化处理的副 产物产生来监测氟化处理的终点。

9.如权利要求1至4任一权利要求所述的等离子体装置工艺腔预 处理的方法，其特征在于，进一步包括：在执行氟化处理之后，对所述 工艺腔内壁以及内部部件的表面进行清洗。

10.如权利要求9所述的等离子体装置工艺腔预处理的方法，其特 征在于：所述清洗包括用去离子水清洗或超声波清洗或用双氧水和氨水 混合溶液清洗或用IPA清洗中的至少一种。