[发明专利]一种制备具有高纵横比热电臂的微型热电器件的方法有效

专利信息
申请号: 200810239624.3 申请日: 2008-12-12
公开(公告)号: CN101436641A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 李敬锋;刘大为 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L35/34 分类号: H01L35/34
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 代理人: 朱 琨
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 具有 纵横 热电 微型 热电器件 方法
【权利要求书】:

1.一种制备具有高纵横比热电臂的微型热电器件的方法,其特征在于,具体制备工艺包括:

(1)利用精密划片机在长、宽为1~10厘米,厚度为100~200微米的玻璃薄片表面加工出10~50条平行凹槽;

(2)将步骤(1)中加工的带有凹槽的玻璃片叠层并将每层凹槽的位置对齐、固定,然后在玻璃上下表面加压10~20千帕并烧结,使得玻璃片软化并粘接成一体,从而获得具有微阵列的玻璃模板,模板的宽度为0.5~2毫米;

(3)将模板切割成高度为0.5~2毫米,并在其中的一面涂敷银浆,控制银浆粘度在2000~3500cPas范围内使得其进入模板形成电极,并烘干银浆;

(4)将步骤(3)中的涂有银浆的一面抛光至露出模板,在单晶硅片上面利用光刻的方法曝光出叉指电极,并磁控溅射金属,将带有叉指电极的硅片与玻璃模板有银电极的一面阳极键合,叉指电极的两个叉指交替覆盖每排的微孔,并分别向外引出导线;

(5)将步骤(4)中叉指电极的两组叉指的引线分别连接到电化学沉积的阴极,分两步在两个分别含有P型、N型材料电解液中沉积生长出P型、N型交替排列热电微阵列;

(6)去掉沉积阴极,抛光填充好P型、N型热电材料的模板两面,在模板的两面利用光刻和磁控溅射制作金属电极,串联沉积好的热电微柱子,并封装成热电微器件。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述平行凹槽的长度为1~10厘米,宽度、深度为30~150微米,间距为50~300微米。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述烧结温度为400~700摄氏度,烧结时间为2~5小时。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述进入模板的深度为50~100微米,烘干温度70~150摄氏度。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电解液离子成份为0.005~0.01mol/L Bi3+和HTeO2+,pH值为0.0~0.4,沉积工艺为反向脉冲电压电化学沉积,一个沉积脉冲周期为-0.15~-0.25伏/3~5秒,+0.4~+0.6伏/0.5~1秒,0伏/2~4s,沉积时间为5~30小时。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述填充的热电材料为碲化铋热电材料,工作条件为室温环境。

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