[发明专利]一种太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法无效
| 申请号: | 200810237693.0 | 申请日: | 2008-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN101630701A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
| 发明(设计)人: | 刘科高;项东;张保议;冯立明;李静;王志刚 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 | 代理人: | 张建成 |
| 地址: | 250101山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳电池 用铜铟硒 光电 薄膜 材料 制备 方法 | ||
1.一种太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法,包括如下顺序的步骤:
a.玻璃基片的清洗;
b.将CuCl2.2H20、InCl3.4H20、SeO2放入25~100份的溶剂中,使溶液中的物质均匀混合,并调整PH值至7.5;
c.制作外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片,并烘干,得到前驱体薄膜样品;
d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触;
e.将步骤d所得物,进行干燥,得到铜铟硒光电薄膜。
2.如权利要求1所述的太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤a所述清洗,是将玻璃基片大小为2mm×2mm,按体积比放入三氯甲烷∶乙醇=5∶1的溶液中,超声波清洗;再将玻璃片放入丙酮∶蒸馏水=5∶1的溶液中,超声波清洗;再在蒸馏水中将玻璃基片用超声振荡;将上述得到的玻璃基片排放在玻璃皿中送入烘箱中烘干供制膜用。
3.如权利要求1所述的太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤b所述CuCl2.2H2O 0.8~2.5份、InCl3.4H20 1.5~4.5份、SeO2 1.0~3.5份。
4.如权利要求1所述的太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤b所述的溶剂为去离子水、乙二醇、乙醇胺中至少一种。
5.如权利要求1所述的太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤c所述外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片,是通过匀胶机涂抹,匀胶机以200~3500转/分旋转,然后对基片进行烘干后,再次如此重复5~15次,得到了一定厚度的前驱体薄膜样品。
6.如权利要求1所述的太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤d将所述水合联氨的加入量是按高出反应中所需联氨数量的过量加入。
7.如权利要求1所述的太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤e所述干燥为放入烘箱中,加热至160~220℃之间,保温时间5~15小时,然后冷却到室温取出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





