[发明专利]铜化学机械抛光方法有效
| 申请号： | 200810226330.7 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101740378A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 牛孝昊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
1.一种铜化学机械抛光方法，将具有金属-电介质-金属结构的晶片第一次置于第一研磨垫上进行粗加工研磨，除去晶片表面的大部分铜；再将所述晶片第一次置于第二研磨垫上进行精加工研磨，去除晶片表面残存的铜；其特征在于，在上述步骤之后，包括如下步骤：
将所述晶片第一次置于第三研磨垫上进行研磨，以去除晶片表面的阻挡层残留并降低金属-电介质-金属区域中深台阶的高度差；将所述晶片第二次置于所述第一研磨垫或第二次置于所述第二研磨垫上进行研磨，以去除金属-电介质-金属结构中深台阶底部的铜残留；
将所述晶片第二次置于所述第三研磨垫上进行研磨。
2.根据权利要求1所述的铜化学机械抛光方法，其特征在于，将所述晶片第一次置于第三研磨垫上进行研磨的研磨时间范围为100秒至120秒。
3.根据权利要求1所述的铜化学机械抛光方法，其特征在于，将所述晶片第二次置于所述第一研磨垫上或第二次置于所述第二研磨垫上的研磨时间范围为30秒至60秒。
4.一种铜化学机械抛光方法，将具有金属-电介质-金属结构的晶片第一次置于第一研磨垫上进行粗加工研磨，除去晶片表面的大部分铜；再将所述晶片第一次置于第二研磨垫上进行精加工研磨，去除晶片表面残存的铜；其特征在于，在上述步骤之后，包括如下步骤：
将所述晶片第一次置于第三研磨垫上进行研磨，以去除晶片表面的阻挡层残留并降低金属-电介质-金属区域中深台阶的高度差；先将所述晶片第二次置于所述第一研磨垫上进行研磨，再将所述晶片第二次置于所述第二研磨垫上进行研磨，以去除金属-电介质-金属结构中深台阶底部的铜残留；
将所述晶片第二次置于所述第三研磨垫上进行研磨。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810226330.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种生物质燃料储料仓
- 下一篇：一种双层玻璃钢高强度防渗漏油罐
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
