[发明专利]白光发光二极管无效
| 申请号: | 200810215284.0 | 申请日: | 2008-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN101677119A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
| 发明(设计)人: | 苏晋锋;吴定丰;李伟成;陈建安 | 申请(专利权)人: | 安提亚科技股份有限公司;吴定丰 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L25/00;H01L25/075 |
| 代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人: | 张松亭 |
| 地址: | 台湾省高*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 白光 发光二极管 | ||
1.一种白光发光二极管,系包含:
一基座,其包含一基座晶杯位于顶部,该基座晶杯具有一反射底面位于底部,以及一侧向反射面环设于该反射底面周边,该基座晶杯之深度大于500μm;
一芯片组,粘着固定于该基座晶杯中之反射底面上,该芯片组包含至少一芯片,该芯片具有一光发射面位于上表面,定义该基座晶杯之反射底面扣除芯片组之所余面积,与周边侧向反射面之面积总和为该基座晶杯之有效反射面积,且该基座晶杯有效反射面积与芯片组之光发射面面积之面积比大于10,该芯片组具有二电极接点分别电性连接该基座的二引脚;
一透明导光层,系成形于该基座晶杯中,并直接包覆芯片组;以及
一萤光体透镜,系固设该透明导光层上,该萤光体透镜包含一透镜以及均匀混入该透镜中之萤光粒子一体成形,该萤光体透镜中之萤光粒子浓度为20%(重量百分比)以下。
2.如权利1所述之白光发光二极管,其特征在于,其中,该萤光体透镜中尚包含光扩散剂与该萤光粒子一同均匀混入该透镜中。
3.如权利1所述之白光发光二极管,其特征在于,其中,该透明导光层中尚包含光扩散剂一同均匀混入该透明导光层中。
4.如权利1或2或3任一项所述之白光发光二极管,其特征在于,其中,该二引脚系设置于该基板上,自该基座晶杯之反射底面向下穿出该基板底面。
5.如权利1或2或3项任一项所述之白光发光二极管,其特征在于,其中,该二引脚系设置于两侧,形成表面贴着组件(SMD)型式之电极接脚。
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