[发明专利]电子部件和显示装置及所述电子部件和显示装置的制造方法

说明书

本申请基于并主张于2007年8月31日提出申请的日本专利申请第 2007-226358号的优先权的利益，该申请的公开内容在此整体并入本文供 参考。

技术领域

本发明涉及一种通过利用图案成形方法形成的电子部件，其中第二抗 蚀图案通过转印形成于第一抗蚀图案上，且具体地，涉及一种具有通过利 用上述图案成形方法形成的薄膜晶体管(TFT)的显示装置。

背景技术

一种制造诸如半导体装置的电子部件的方法，具体地，一种制造TFT 的方法已经由诸如膜形成技术、光刻加工技术和蚀刻技术的技术开发支 持。在TFT制造过程中，该过程的持续存在的问题是用于提高该过程的生 产率、性能和产量的方法的开发。

用于解决上述问题的方法是将抗蚀剂掩模成形和蚀刻有效地结合在 一起。

上述有效结合的概念在于，在构成TFT所需的薄膜上形成抗蚀图案， 通过利用此抗蚀图案作为第一掩模蚀刻膜，然后当将抗蚀图案以一些方式 转变以用作第二掩模后进一步蚀刻膜。

因此，通过分别在转变抗蚀图案的步骤之前和之后蚀刻用于TFT的 膜，不同的图案形成于膜上。通过设计这种过程，可以降低诸如抗蚀剂涂 敷、曝光和显影的光刻加工步骤的数量。

在最近几年，为了降低光刻加工步骤的数量，还考虑了通过利用转印 方法直接在基板上形成抗蚀图案。根据此转印方法，因为抗蚀图案可以只 通过印刷技术形成，所以可以省略诸如抗蚀剂涂敷步骤、曝光步骤和显影 步骤的所需步骤。因此，可以提高生产率。

首先，将说明在本发明者的知识范围内利用光刻加工技术的公知实 例。为了容易理解实例，将其分成如下三个技术组。

第一现有技术是通过将抗蚀剂溶解转变抗蚀剂。此技术称为回流技 术。有两种方法属于此回流技术。其一为凭借加热，其二为凭借化学溶液 或该化学溶液的蒸发。

第二现有技术是抗蚀剂经过体积膨胀(即，通过使抗蚀剂溶胀将该抗 蚀剂转变)的一种技术。事实上，这种溶胀技术也称为甲硅烷基化处理 (silylization)。

第三现有技术是其中去除一部分抗蚀剂、然后转变剩余的抗蚀剂的技 术。此方法利用具有三级或更多级的透光因数的受到控制的曝光掩模。通 过此掩模将抗蚀剂暴露到光线，至少将三种不同的膜厚度同时设置到抗蚀 剂中，使得厚部分、薄部分和无抗蚀剂部分形成于基板上，然后在接下来 的步骤中适当地去除薄部分。对于去除方法，无论是利用显影过程的溶剂 方法还是利用灰化过程的干燥方法都适用。

下面将通过参照形成诸如漏电极、源电极、数据焊盘(端子电极)、 配线图案以及通道的过程详细说明根据上述技术分类的现有技术。

在此，上述第一现有技术通过将其分成第一传统实例和第二传统实例 进行说明。

第一传统实例([专利文献1：日本专利申请公开出版物第2000-131719 号])属于根据热处理溶解和转变抗蚀图案的技术。

图11A到图11C是每个都显示用于上述第一传统实例的反交错式TFT 的制造步骤的横截面视图。在下文中，将按步骤的顺序说明。

首先，通过使在绝缘玻璃基板101上形成的金属膜形成图案，形成包 括栅极线102、栅电极103和栅极焊盘104的栅极图案。金属膜可以是单层， 或如果需要也可以是层叠状态。

接下来，栅极绝缘膜105、诸如非晶硅膜的半导体层106、诸如n-型非 晶硅膜的接触层107以及金属膜层叠，以便以该顺序覆盖栅极图案。在形 成图案的步骤中，使金属膜形成图案，以便如下形成数据线108、漏电极 109、源电极110以及数据焊盘111。

如图11A所示，当在金属层的所需区域上布置预转变抗蚀图案112后， 蚀刻金属层以形成包括数据线108、漏电极109、源电极110以及数据焊盘 111的数据图案。

此后，如图11B所示，通过用热处理回流预转变抗蚀图案112，获得转 变后的抗蚀图案113。并且，通过利用转变后的抗蚀图案113作为掩模蚀刻 接触层107和半导体层106并从基板选择地去除接触层107和半导体层106。

如图11C所示，当从基板上去除转变后的抗蚀图案113后，通过利用数 据图案作为掩模去除部分接触层107和半导体层106形成TFT的通道区域。