[发明专利]电子部件和显示装置及所述电子部件和显示装置的制造方法有效
| 申请号: | 200810215131.6 | 申请日: | 2008-09-01 |
| 公开(公告)号: | CN101378012A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
| 发明(设计)人: | 铃木圣二 | 申请(专利权)人: | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/84 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 部件 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种电子部件的制造方法,包括步骤:
通过利用第一抗蚀图案作为第一掩模进行第一蚀刻;
转印第二抗蚀图案,以便重叠在所述第一抗蚀图案的整个表面上,并 从该第一抗蚀图案延伸出来;以及
通过利用所述第一抗蚀图案和所述第二抗蚀图案作为第二掩模进行 第二蚀刻。
2.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法,其中转印所述第二抗 蚀图案,以连接两个或更多个所述第一抗蚀图案。
3.一种通过利用薄膜晶体管的制造方法制造显示装置的方法,包括 步骤:
对设置有栅极图案的基板和绝缘膜、半导体膜、接触膜和上层金属膜 以此顺序层叠在该基板上的膜通过利用第一抗蚀图案作为第一掩模进行 第一蚀刻,以便至少去除所述上层金属膜和所述接触膜,从而形成所述晶 体管的通道部分和包括漏电极、源电极、数据端子和数据配线的数据图案;
至少将第二抗蚀图案转印在位于所述通道部分的两侧部分上的所述 第一抗蚀图案上,并覆盖所述通道部分;以及
通过利用所述第一抗蚀图案和所述第二抗蚀图案作为第二掩模进行 第二蚀刻,以去除所述半导体膜,用于露出所述绝缘膜,从而将所述半导 体膜处理成岛状图案。
4.根据权利要求3所述的制造显示装置的方法,其中所述第二抗蚀图 案布置为覆盖至少一部分所述数据配线和/或所述数据端子并从其延伸出 来,并进行所述第二蚀刻,以使所述数据配线和/或所述数据端子以及所 述半导体膜的横截面形成为阶梯状形状。
5.一种通过利用薄膜晶体管的制造方法制造显示装置的方法,包括 步骤:
用第一抗蚀图案作为第一掩模进行第一蚀刻,以部分去除组成数据图 案的膜;
转印第二抗蚀图案,以覆盖所述第一抗蚀图案的整个表面,并从所述 第一抗蚀图案延伸出来;以及
通过利用所述第一抗蚀图案和所述第二抗蚀图案作为第二掩模进行 第二蚀刻,以去除组成所述数据图案的所述膜,从而使所述数据图案具有 阶梯状形状的横截面。
6.根据权利要求3所述的制造显示装置的方法,其中所述第二抗蚀图 案布置为在所述薄膜晶体管的显示像素区域和所述显示像素区域周围的 框架密封区域之间延伸,以环绕所述显示像素区域。
7.根据权利要求3所述的制造显示装置的方法,其中所述第二抗蚀图 案形成于环绕所述薄膜晶体管的显示像素区域的框架密封区域中。
8.根据权利要求3所述的制造显示装置的方法,其中所述第二抗蚀图 案包括不与所述第一抗蚀图案重叠的第一隔离图案,而所述第一抗蚀图案 包括不与所述第二抗蚀图案重叠的第二隔离图案,从而形成具有所述第一 和第二隔离图案的一对重叠标记。
9.根据权利要求3所述的制造显示装置的方法,其中所述第一抗蚀图 案包括不与所述第二抗蚀图案重叠的隔离图案,以及用于识别产品的标记 通过所述隔离图案形成。
10.根据权利要求3所述的制造显示装置的方法,其中在完成所述第 二蚀刻后,所述第一抗蚀图案保留在所述薄膜晶体管上,而将所述第二抗 蚀图案从所述薄膜晶体管去除。
11.根据权利要求10所述的制造显示装置的方法,其中所述第一抗蚀 图案为用于组成至少一部分所述数据图案的导电膜。
12.根据权利要求3所述的制造显示装置的方法,其中在完成所述第 二蚀刻后,所述第一抗蚀图案和所述第二抗蚀图案一起保留在所述薄膜晶 体管上。
13.根据权利要求12所述的制造显示装置的方法,其中所述第一抗蚀 图案为用于组成至少一部分所述数据图案的导电膜,而所述第二抗蚀图案 为布置在所述通道部分上的绝缘膜。
14.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法,其中所述第一抗蚀 图案为导电墨水材料。
15.根据权利要求13所述的制造显示装置的方法,其中所述第一抗蚀 图案材料为导电墨水材料,而所述第二抗蚀图案材料为绝缘树脂的墨水材 料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





