[发明专利]倒装芯片结构和制造方法有效

专利信息
申请号: 200810214226.6 申请日: 2008-08-21
公开(公告)号: CN101393902A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: J·D·莫兰;B·克鲁斯;A·B·格姆斯·桑切斯 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郭 放
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 倒装 芯片 结构 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于倒装芯片组装的结构,其包括:

具有相对的第一主表面和第二主表面的基片;

与所述第一主表面间隔开地形成的浸润层;

形成于所述浸润层之上的间隙结构,其中所述间隙结构包括玻 璃,并且其中所述间隙结构被配置为组装倒装芯片结构中的所述基 片;和

形成于所述间隙结构的至少一部分之上的第一导电层。

2.根据权利要求1所述的结构,其中所述浸润层包括多晶硅半 导体层。

3.根据权利要求1所述的结构,其中所述间隙结构包括与第二 玻璃区隔开的第一玻璃区。

4.一种形成用于倒装芯片组装的电子设备的方法,其包括如下 步骤:

提供具有相对的第一主表面和第二主表面的基片;

与所述第一主表面间隔开地形成的浸润层;

在所述浸润层之上形成玻璃凸点,其中所述玻璃凸点被配置为用 于组装倒装芯片结构中的所述基片;和

在所述玻璃凸点之上形成第一导电层,其中所述第一导电层被配 置为用于连接到装配的下一级。

5.根据权利要求4所述的方法,其中形成玻璃凸点的所述步骤 包括:用光玻璃形成所述玻璃凸点。

6.根据权利要求5所述的方法,其进一步包括在形成玻璃凸点 的所述步骤之前在所述第二主表面上形成对准部件的步骤。

7.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括如下步骤:

在所述玻璃凸点的至少一部分与所述第一导电层的至少一部分 之间形成应力消除层;和

在基片的部分上和所述第一导电层的部分上形成钝化层。

8.一种用于形成倒装芯片结构的工艺包括如下步骤:

提供具有相对的第一主表面和第二主表面的基片;

形成处于与所述第一主表面相间隔的关系的可湿区;

在所述第一主表面之上形成光玻璃层;

对所述光玻璃层加工图案以形成处于与所述可湿区相间隔的关 系的玻璃凸点,其中所述玻璃凸点被配置为用于所述结构的倒装芯片 组装;和

在所述玻璃凸点结构的至少一部分之上形成导电层,并且所述导 电层被进一步电耦合到有源器件。

9.根据权利要求8所述的工艺,其进一步包括如下步骤:

形成处于与所述第二主表面相间隔的关系的对准部件;和

当在所述第一主表面上对所述光玻璃层加工图案时,使用所述对 准部件。

10.根据权利要求8所述的工艺,其进一步包括如下步骤:

将所述第一导电层连接到装配的下一级;和

密封所述结构的至少一部分。

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