[发明专利]像素装置有效

专利信息
申请号: 200810213789.3 申请日: 2008-09-08
公开(公告)号: CN101539699A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 颜呈机 申请(专利权)人: 立景光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 装置
【权利要求书】:

1.一种像素装置,适于一显示面板,包括:

一第一开关,其输入端接收一像素信号,其控制端接收一控制信号,其输出端依据该控制信号选择性地传送该像素信号至一像素电极;

一第一电容,具有一第一金属层的一第一部分、一第二金属层及一第一电介质层,其中该第一金属层的该第一部分耦接一参考电压,该第二金属层耦接该像素电极,且该第一电介质层耦接于该第一金属层的该第一部分与该第二金属层之间;以及

一第二电容,具有一第一多晶硅层、一电极层及一第二电介质层,而该第二电介质层耦接于该第一多晶硅层与该电极层之间,其中该第二电容并联该第一电容。

2.如权利要求1所述的像素装置,其中该电极层为一第二多晶硅层。

3.如权利要求2所述的像素装置,其中该第二多晶硅层经由该第一金属层的一第二部分而耦接该第二金属层。

4.如权利要求3所述的像素装置,其中该第一多晶硅层经由一接触层而耦接该第一金属层的该第一部分。

5.如权利要求2所述的像素装置,其中该第一多晶硅层经由该第一金属层的一第二部分而耦接该第二金属层。

6.如权利要求5所述的像素装置,其中该第二多晶硅层经由一接触层而耦接该第一金属层的该第一部分。

7.如权利要求2所述的像素装置,还包括:

一第三电容,具有该第一多晶硅层、一扩散层及一第三电介质层,而该第三电介质层耦接于该第一多晶硅层与该扩散层之间,其中该第三电容并联该第一电容。

8.如权利要求7所述的像素装置,其中该第一多晶硅层经由该第一金属层的一第二部分而耦接该第二金属层。

9.如权利要求8所述的像素装置,其中该扩散层经由一接触层而耦接该第一金属的该第一部分。

10.如权利要求1所述的像素装置,其中该电极层为一扩散层。

11.如权利要求10所述的像素装置,其中该第一多晶硅层经由该第一金属层的一第二部分而耦接该第二金属层。

12.如权利要求11所述的像素装置,其中该扩散层经由一接触层而耦接该第一金属层的该第一部分。

13.如权利要求1所述的像素装置,其中该第一电容更具有一电容上置金属层,其经由一金属贯孔耦接该第二金属层,且耦接于该第二金属层与该第一电介质层之间。

14.如权利要求1所述的像素装置,其中该显示面板为一液晶显示面板。

15.如权利要求1所述的像素装置,其中该显示面板为一硅基液晶面板。

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