[发明专利]有源浪涌电流控制电路

权利要求书

1.一种有源浪涌电流控制电路，其特征在于：

a)采用MOSFET作为控制元件，其漏极连接负载，源极连接所述有源浪涌电流控制电路的输入端；

b)包含启动电路和MOSFET的Vgs电压斜率控制电路；

c)启动电路的输出决定Vgs电压最大值，其由电阻和齐纳二极管串联构成；

d)Vgs电压斜率控制电路由电阻、电容、三极管、二极管构成，其中启动电路的输出通过一个电阻连接到三极管的发射极；电容连接于三极管的基极和集电极之间，二极管并联在三极管的发射极和基极之间，其阳极与基极相连，阴极与发射极相连；三极管的发射极与MOSFET的栅极连接，集电极与MOSFET的源极相连；在三极管的集电极与发射极之间并联有另一电阻。

2.根据权利要求1所述的有源浪涌电流控制电路，其特征在于：上电过程中的上升斜率由所述Vgs电压斜率控制电路中的连接在三极管的发射极和启动电路的输出端之间的电阻与连接在三极管的基极和集电极之间的电容一起控制。

3.根据权利要求1所述的有源浪涌电流控制电路，其特征在于：所述Vgs电压斜率控制电路中的二极管与并联在三极管的集电极和发射极之间的电阻为连接在三极管的基极和集电极之间的电容提供了下电过程中的放电回路。

4.根据权利要求1所述的有源浪涌电流控制电路，其特征在于：所述三极管的集电极与发射极之间并联的电阻为MOSFET的栅源极提供保护。

5.根据权利要求1所述的有源浪涌电流控制电路，其特征在于：所述启动电路由电阻和齐纳二极管串联构成，当输入电压比较高时，齐纳二极管可以由多个齐纳二极管串联构成，达到所需的启动电压值。

6.根据权利要求5所述的有源浪涌电流控制电路，其特征在于：所述启动电路在输入电压较低但高于MOSFET的Vgs的最大值时，可以只保留电阻和决定Vgs的最高电压的齐纳二极管。

7.根据权利要求5所述的有源浪涌电流控制电路，其特征在于：所述启动电路在输入电压低于MOSFET的Vgs的最大值时，可以只由电阻构成。