[发明专利]阻挡层的形成方法有效
| 申请号： | 200810208067.9 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101764083A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻挡 形成 方法 | ||
1.一种阻挡层的形成方法，包括：
提供半导体基片，所述半导体基片上具有介质层和所述介质层内的开口；
在所述开口内形成阻挡层；
采用等离子体刻蚀所述开口内的阻挡层以减薄或去除开口底部的阻挡层；其特征在于，
所述等离子体刻蚀包括交替进行的第一刻蚀和第二刻蚀，所述第一刻蚀与第二刻蚀的区别在于：所述等离子体相对于所述半导体基片，沿半导体基片第一直径方向的分布以第二直径为参照轴相反，其中所述第一直径与第二直径垂直；其中，
所述第一刻蚀和第二刻蚀的交替进行通过以下方式实现：以圆心为轴交替旋转所述半导体基片180度。
2.根据权利要求1所述的阻挡层的形成方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀的设备具有电磁线圈，所述第一刻蚀和第二刻蚀的交替进行通过交替改变所述电磁线圈中的电流方向而实现。
3.根据权利要求1或2所述的阻挡层的形成方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀过程中，所述交替进行的第一刻蚀和第二刻蚀各进行一次。
4.根据权利要求3所述的阻挡层的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀的时间占总的刻蚀时间的20％至50％。
5.根据权利要求1所述的阻挡层的形成方法，其特征在于，所述采用等离子体刻蚀所述开口内的阻挡层以减薄或去除开口底部的阻挡层之后，还包括：再次沉积一薄层阻挡层材料以修复经过等离子体刻蚀的阻挡层表面。
6.根据权利要求1所述的阻挡层的形成方法，其特征在于，所述在包括开口内的介质层上形成阻挡层采用磁控溅射法。
7.根据权利要求6所述的阻挡层的形成方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀与所述形成阻挡层采用同一磁控溅射设备。
8.根据权利要求1所述的阻挡层的形成方法，其特征在于，所述阻挡层为至少两个膜层组成的叠层结构。
9.根据权利要求8所述的阻挡层的形成方法，其特征在于，所述至少两个膜层包括TaN膜和所述TaN膜上的Ta膜。
10.根据权利要求1所述的阻挡层的形成方法，其特征在于，所述开口包括双镶嵌开口、沟槽或通孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
