[发明专利]半导体高压终端结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810203922.7 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101752208A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 龚大卫;邵凯 | 申请（专利权）人： | 上海芯能电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 200001 上海市黄浦区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 高压 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体高压终端结构的制造方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
第一步，提供硅基板，于该硅基板上形成场氧化层，通过离子轰击的方式 在场氧化层上部引入损伤层；
第二步，利用光刻掩膜版定义高压终端结构区；
第三步，利用湿法腐蚀损伤层，按照损伤层与未损伤氧化层的腐蚀速率差 异形成具斜角的斜坡氧化层；
第四步，利用斜坡氧化层作为自对准掩膜进行离子注入，引入横向扩散的 初始杂质；
第五步，横向热扩散杂质，形成具有渐变横向掺杂梯度的高压保护环；
第六步，在斜坡氧化层上淀积一定厚度的高掺杂多晶硅或金属层形成斜坡 场板。
2.根据权利要求1所述的半导体高压终端结构的制造方法，其特征在于： 该场氧化层为二氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的半导体高压终端结构的制造方法，其特征在于： 在第四步与第五步之间利用退火工艺激活斜坡场氧化层下的掺杂杂质，并形成 渐变横向掺杂梯度的高压保护环。
4.根据权利要求1所述的半导体高压终端结构的制造方法，其特征在于： 第一步中，离子轰击的能量造成场氧化层表面损伤，损伤的程度和深度决定于 离子轰击能量和剂量，斜坡氧化层的斜角角度与该氧化层表面损伤的程度和深 度以及腐蚀条件有关。
5.根据权利要求1所述的半导体高压终端结构的制造方法，其特征在于： 第一步中的离子轰击过程采用氩离子或硅离子。
6.根据权利要求1所述的半导体高压终端结构的制造方法，其特征在于： 第三步中，用到的刻蚀溶液为氢氟酸和浓度为40%的氟化氨水溶液的混合液，氢 氟酸和氟化氨水溶液的比例为1:20至1:2，刻蚀时间10分钟－1个小时。
7.根据权利要求1所述的半导体高压终端结构的制造方法，其特征在于： 第四步中的离子注入过程采用硼离子、磷离子或砷离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
