[发明专利]像素单元及其制造方法以及触控式液晶显示面板

权利要求书

1.一种像素单元的制造方法，其特征在于，其包括：

在一基板上形成一第一金属层，其包括一闸极、与所述闸极连接的一闸 极线、一第一电极以及与所述第一电极连接的一扫描线；

形成一闸极绝缘层，覆盖所述第一金属层；

移除部分所述闸极绝缘层，以暴露出所述第一电极；

在所述暴露的所述第一电极上形成一P型掺杂层；

形成一半导体层，其覆盖位于所述闸极上方的所述闸极绝缘层以及所述 P型掺杂层；

形成一N型掺杂层，其覆盖所述半导体层；

在所述N型掺杂层上形成一第二金属层，其包括位于所述闸极上方的一 源极、一汲极以及与所述源极连接的一数据线，以及位于所述第一电极上方 的一第二电极及与所述第二电极连接的一读出信号线，其中所述闸极、所述 源极与所述汲极构成一薄膜晶体管，且所述第一电极、所述第二电极与位于 所述第一与第二电极之间的P型与N型掺杂层构成一PIN二极管；

移除未被所述第二金属层所覆盖的所述N型掺杂层；

形成一保护层，覆盖所述第二金属层；以及

在所述保护层上形成一像素电极，其与所述汲极电性连接。

2.如权利要求1所述的像素单元的制造方法，其特征在于，其中所述 PIN二极管的第二电极中具有透光开口。

3.如权利要求1所述的像素单元的制造方法，其特征在于，其中所述半 导体层的材质包括非晶硅。

4.如权利要求1所述的像素单元的制造方法，其特征在于，其中所述P 型掺杂层的材质包括掺有P型杂质的非晶硅。

5.如权利要求1所述的像素单元的制造方法，其特征在于，其中所述N 型掺杂层的材质包括掺有N型杂质的非晶硅。

6.如权利要求1所述的像素单元的制造方法，其特征在于，其中形成第 一金属层的方法包括进行一沉积程序以及一蚀刻程序。

7.如权利要求1所述的像素单元的制造方法，其特征在于，其中形成第 二金属层的方法包括进行一沉积程序以及一蚀刻程序。