[发明专利]一种非极性GaN薄膜及其生长方法有效
| 申请号： | 200810200458.6 | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101364631A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 周健华;郝茂盛;颜建锋;潘尧波;周圣明 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 极性 gan 薄膜 及其 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非极性GaN薄膜的生长方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一：在MOCVD系统中，在N2保护下，升温到800-900℃，在铝酸锂衬底上生长低温保护层，低温保护层压力150-500torr，TMGa流量1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；
步骤二：降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃生长U-GaN层，TMGa流量10-200sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-1E-3mole/min；
步骤三：再升温到1150-1200℃，在这个温度下生长高温U-GaN层100nm；
步骤四：再降温到1000-1100℃生长另一U-GaN层。
2.如权利要求1所述的一种非极性GaN薄膜的生长方法，其特征在于：在步骤一中，在生长开始之前，首先对铝酸锂衬底表面在600-900℃下进行原位热处理。
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