[发明专利]柔性有机电致发光显示器件及其制造方法有效
| 申请号: | 200810186188.8 | 申请日: | 2008-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN101577289A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
| 发明(设计)人: | 崔洛奉;柳俊锡 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性 有机 电致发光 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
根据35U.S.C.119,本申请要求2008年5月6日提交的韩国专利申请No.10-2008-0041994的优先权,其在这里全部结合作为参考。
技术领域
本发明涉及一种柔性有机电致发光显示器件,尤其涉及一种具有最大柔性的有机电致发光显示器件及其制造方法。
背景技术
随着信息社会的发展,能显示信息的显示器件得到广泛发展。这些显示器件包括液晶显示(LCD)器件、有机电致发光显示(OLED)器件、等离子体显示器件、场致发射显示器件等。
近年来要求显示器件增强柔性。据此,正积极研究能弯曲的柔性显示器件。特别是,因为与LCD器件相比,不需要背光单元,所以柔性OLED器件具有能将厚度最小化并减小电力消耗的优点。
这种柔性OLED器件通常制造在塑料基板上。然而,由于其温度敏感性,塑料基板在柔性OLED器件中的应用受到限制。
为了出色的柔性,基板的厚度应最小化。基板的最小化厚度将使基板弯曲,由此很难供给到制造设备中。
此外,当外部潮气和/或氧气侵入时,OLED器件很容易受到损坏。
发明内容
本发明提供一种柔性OLED器件,其包括:大约0.05mm~0.2mm厚度的基板;在所述基板上的平整层;在所述平整层上的薄膜晶体管;在所述平整层和所述薄膜晶体管上的钝化层,其具有暴露所述薄膜晶体管的漏极的接触孔;在所述钝化层上的反射层;在所述反射层上的阳极,其与所述薄膜晶体管的所 述漏极电连接;在所述阳极电极的边缘区域和所述钝化层上的围堰层,其包括有机材料;在所述阳极上的有机发光层;在所述围堰层和所述有机发光层上的阴极;以及在所述阴极上的密封层,其包括有机膜、无机膜、粘结膜和保护膜。
根据本发明另一个一般方面,一种柔性OLED器件的制造方法包括:在大约0.4mm~1mm厚度的基板上形成平整层;在所述平整层上形成薄膜晶体管;在所述平整层和所述薄膜晶体管上形成钝化层,其具有暴露所述薄膜晶体管的漏极的接触孔;在所述钝化层上形成反射层;在所述反射层上形成与所述薄膜晶体管的所述漏极电连接的阳极;在所述阳极的边缘区域和所述钝化层上形成包括有机材料的围堰层;在所述阳极上形成有机发光层;在所述围堰层和所述有机发光层上形成阴极;以及在所述阴极上形成包括有机膜、无机膜、粘结膜和保护膜的密封层;以及蚀刻所述基板的后侧,直到所述基板的厚度在大约0.05mm~0.2mm的范围内为止。
根据下面附图和详细描述的解释,其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员来说将是或将变得显而易见。所有这种附加的系统、方法、特征和优点意在包含在该描述中,在本发明的范围内并由下面的权利要求保护。在该部分中不应解释为对权利要求的限制。下面结合实施方式讨论进一步的方面和优点。本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是典型性的和解释性的,意在提供对如权利要求所述的本发明进一步的解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附图图解了本发明的实施方案并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是显示根据本发明一个实施方式的柔性OLED器件的截面图;
图2A到2E是解释根据本发明一个实施方式的柔性OLED器件的制造工序的工序图;
图3A和3B是描述包括在根据本发明一个实施方式的柔性OLED器件中的基板和平整层的表面粗糙度的视图。
具体实施方式
现在将参照本发明的优选实施方案详细描述,附图中图解了其实施例。在 任何时候,在全部附图中使用相同的参考数字表示相同或相似的部件。
图1是显示根据本发明一个实施方式的柔性OLED器件的截面图。参照图1,在基板1上设置有平整层7。
基板1由诸如不锈钢这样的金属材料形成。为了制造柔性OLED器件,初始基板1应当作为用于OLED器件的基板,被供给到处理设备中。
在供给到处理设备中之前,初始基板1可为大约0.4mm到1.0mm范围内的厚度。据此,初始基板1不能是柔性的并且不能保持平坦化状态。在通过处理设备制造了柔性OLED器件之后,通过蚀刻其后侧,将该初始基板1处理为具有大约0.05mm到0.2mm的厚度范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





