[发明专利]采用微晶半导体材料的三维只读存储器无效
| 申请号： | 200810185313.3 | 申请日： | 2002-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101540318A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/112;H01L27/115;G11C17/00;G11C17/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 半导体材料 三维 只读存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用微晶半导体材料的三维只读存储器，其特征在于含有：
一衬底；
多个叠置在衬底上的只读存储层，所述只读存储层通过多个接触通道口与衬底实现电连接；
至少一个存储层含有多个只读存储元，每个只读存储元含有：
顶电极和底电极；
一位于该顶电极和底电极之间的3D-ROM膜，该3D-ROM膜含有微晶半导体材料，该微晶半导体材料能降低电极和3D-ROM膜的接触电阻。
2.一种采用微晶半导体材料的三维只读存储器，其特征在于含有：
一衬底；
多个叠置在衬底上的只读存储层，所述只读存储层通过多个接触通道口与衬底实现电连接；
至少一个存储层含有多个只读存储元，每个只读存储元含有：
顶电极和底电极；
一位于该顶电极和底电极之间的3D-ROM膜，该3D-ROM膜含有第一次膜和第二次膜，该第一次膜含有微晶半导体材料，该第二次膜含有非晶半导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
