[发明专利]阶梯式电容结构、其制造方法、及应用其的基板

权利要求书

1.一种阶梯式电容结构，包括：

上层导体层、中间介电层、以及下层导体层，其中该上层导体层和该下 层导体层中至少有一导体层的截面为阶梯状，

上层介电层，安置于该上层导体层上方；

下层介电层，安置于该下层导体层下方；

第一导孔，上端连接该上层导体层，且穿过该上层介电层，更穿过该下 层介电层，且与该下层导体层电性绝缘；以及

第二导孔，下端连接该下层导体层，且穿过该上层介电层，更穿过该下 层介电层，且与该上层导体层电性绝缘，

其中该第一导孔，形成第一底部连接导体于该阶梯式电容结构的下端表 面；该第二导孔，形成第二底部连接导体于该阶梯式电容结构的下端表面。

2.如权利要求1所述的阶梯式电容结构，其中该下层导体层的截面为阶 梯状。

3.如权利要求2所述的阶梯式电容结构，其中该阶梯状至少包含第一阶 与第二阶，该第一阶具有第一上表面，该第二阶具有第二上表面，且该第二 上表面高于该第一上表面。

4.如权利要求3所述的阶梯式电容结构，其中该第二阶位于该第一阶上 面。

5.如权利要求4所述的阶梯式电容结构，其中该第二阶为一组以上，相 邻间隔位于在该第一阶上面。

6.如权利要求4所述的阶梯式电容结构，其中该阶梯状还包含第三阶， 且具有第三上表面，位于该第一阶上表面且与该第二阶相邻，该第三上表面 高于该第二上表面。

7.如权利要求6所述的阶梯式电容结构，其中该第三阶与该第二阶以距 离间隔相邻。

8.如权利要求4所述的阶梯式电容结构，其中该阶梯状还包含第三阶， 位于该第二阶上表面。

9.如权利要求3所述的阶梯式电容结构，其中该上层导体层，其截面呈 倒阶梯状。

10.如权利要求9所述的阶梯式电容结构，其中该倒阶梯状至少包含第一 倒阶梯与第二倒阶梯，该第一倒阶梯具有第一下表面，该第二倒阶梯具有第 二下表面，且所述的第二下表面低于所述的第一下表面。

11.一种阶梯式电容结构，包括：

上层导体层、中间介电层、以及下层导体层，其中该下层导体层的截面 为阶梯状，该上层导体层的截面呈倒阶梯状，其中

该阶梯状至少包含第一阶与第二阶，该第一阶具有第一上表面，该第二 阶具有第二上表面，且该第二上表面高于该第一上表面，

该倒阶梯状至少包含第一倒阶梯与第二倒阶梯，该第一倒阶梯具有第一 下表面，该第二倒阶梯具有第二下表面，且所述的第二下表面低于所述的第 一下表面，其中该第二下表面与该第二上表面呈对位安置。

12.一种阶梯式电容结构，包括：

上层导体层、中间介电层、以及下层导体层，其中该下层导体层的截面 为阶梯状，该上层导体层的截面呈倒阶梯状，其中

该阶梯状至少包含第一阶与第二阶，该第一阶具有第一上表面，该第二 阶具有第二上表面，且该第二上表面高于该第一上表面，

该倒阶梯状至少包含第一倒阶梯与第二倒阶梯，该第一倒阶梯具有第一 下表面，该第二倒阶梯具有第二下表面，且所述的第二下表面低于所述的第 一下表面，其中该第二下表面与该第二上表面呈错位安置。

13.如权利要求10所述的阶梯式电容结构，其中该第二下表面的高度低 于该第二上表面的高度。

14.如权利要求10所述的阶梯式电容结构，其中该倒阶梯状还包含第三 倒阶梯，且具有第三下表面，位于该第一倒阶梯的下表面，且与该第二倒阶 梯相邻，该第三下表面低于该第二下表面。

15.如权利要求10所述的阶梯式电容结构，其中该倒阶梯状还包含第三 倒阶梯，位于该第二倒阶梯的第二下表面。

16.如权利要求14或15所述的阶梯式电容结构，其中该第三倒阶梯与该 第二倒阶梯以距离间隔相邻。