[发明专利]闪存控制器及设定闪存的错误修正码容量的方法

说明书

【技术领域】

本发明是关于一种闪存控制器及设定闪存的错误修正码容量的方法，特 别是有关于一种具有错误修正码容量设定单元的闪存控制器及设定闪存的错 误修正码容量的方法，该闪存控制器及方法依据闪存的使用状态来设定。

【背景技术】

闪存(flash memory)是一种非挥发性内存，即使移除供应电源之后仍能保 存数据。与非门(Not AND，NAND)型式的内存是一种闪存，具有高密度特性， 并且优于其它种类的内存。特别是NAND闪存具有较大的储存容量、较佳的 内存存取速度以及低成本的特点。

在高阶的闪存制程中，错误修正码(error correction code，ECC)是NAND 闪存控制器的常用功能。具有多层式芯片(multi-level cell)的NAND闪存的成 本较低，广泛应用于固态碟机(solid state drive，SSD)。然而多层式芯片的 NAND闪存亦有缺点，例如读取耐久性(read endurance)不佳，而较差的读取 耐久性的多层式芯片NAND闪存导致固态碟机(SSD)的可靠度下降。有鉴于 此，确有必要发展一种新式的闪存，以解决上述问题。

【发明内容】

本发明的一目的在于提供一种闪存控制器及设定闪存的错误修正码容 量的方法，以依据闪存的使用状态来提升该闪存控制器的错误修正码容量。

本发明另一目的在于提供一种闪存控制器及设定闪存的错误修正码容 量的方法，以改善该闪存的读取/写入耐久性(read endurance)以及可靠度。

为达成上述目的，本发明提供一种闪存控制器，包括控制单元、缓冲器、 错误修正码(ECC)模组以及设定单元。控制单元用以产生一读取命令，以读 取该闪存的数据内容，该闪存具有数据区域，以储存该数据内容，并且具有 第一备用区域，以储存相对应于该数据内容的第一错误修正码(ECC)值。缓 冲器用以储存来自于该闪存的数据区域的数据内容。错误修正码(ECC)模组 利用该数据内容产生第二错误修正码(ECC)值，并且比较该第二错误修正码 (ECC)值与该第一错误修正码(ECC)值，然后依据该比较结果来决定该数据内 容是否存在若干个错误码(errors)。当该数据内容存在该些个错误码时，该设 定单元计算该错误码的数量，以决定该错误码的数量是否超出一预定临界 值。

具体来说，当该错误码的数量超出该预定临界值时，该设定单元透过该 控制单元设定该闪存的数据区域，以分配一部分的数据区域作为第二备用区 域，其中该第一备用区域以及该第二备用区域的总储存容量相关于该错误修 正码(ECC)容量，以使该错误修正码(ECC)模组修正该数据内容的错误码。另 一方面，当该些错误码的数量小于该预定临界值，该错误修正码(ECC)模组 依据该第二错误修正码(ECC)值与该第一错误修正码(ECC)值的比较结果来 修正该些错误码。根据上述，当错误码的数量超过一预定临界值时，该设定 单元有效提高该闪存控制器的错误修正码(ECC)容量。

本发明设定闪存的错误修正码容量的方法包括下列步骤：(1)产生一读取 命令，以读取该闪存的数据内容；(2)利用该数据内容产生一第二错误修正码 (ECC)值；(3)比较该第二错误修正码(ECC)值与该第一错误修正码(ECC)值， 以依据该比较结果来决定该数据内容是否存在若干个错误码；(4)当该数据内 容存在该些个错误码时，利用设定单元计算该些错误码的数量，以决定该错 误码的数量是否超出一预定临界值；以及(5)该设定单元设定该闪存的数据区 域，以分配一部分的数据区域作为一第二备用区域，其中该第一备用区域以 及该第二备用区域的总储存容量相关于该错误修正码(ECC)容量，以使该错 误修正码(ECC)模组修正该数据内容的错误码。

相较于现有技术，本发明使用一部分的储存容量来执行高阶的错误修正 码(ECC)机制，以改善与非门(NAND)闪存的可靠度。该错误修正码(ECC)机 制依据闪存的使用状态具有多段调整式修正数据的能力。因此可以利用额外 的错误修正码(ECC)容量来提高快闪记体的使用寿命。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所 附图式，作详细说明如下：

【附图说明】

图1是依据本发明实施例中闪存控制器耦接于闪存的方块图，是以设定 单元来适应性设定错误修错误修正码(ECC)容量。