[发明专利]化学气相沉积设备有效
| 申请号: | 200810178419.0 | 申请日: | 2008-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN101591774A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
| 发明(设计)人: | 张祥来;李相琝 | 申请(专利权)人: | SFA股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 化学 沉积 设备 | ||
1.一种化学气相沉积设备,其特征在于,包含:
一传输模块腔室,连接一装载室以及一制程模块腔室,且在所述传输模块腔室一底部的一中心部位形成一自控装置设置孔;
一支撑框架,支撑所述传输模块腔室的一下部;
一基板处理自控装置,设置在传输模块腔室的一上部,其是将所述基板处理自控装置的一部位插入到自控装置设置孔,并将一基板传输到所述装载室以及所述制程模块腔室;以及
一变形吸收单元,连结到所述底部以及所述基板处理自控装置,并吸收所述底部的变形,以避免所述底部的变形转换到所述基板处理自控装置。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述变形吸收单元包括:
一上结合部件,连结到所述基板处理自控装置的一侧;
一下结合部件,连结到所述下部的一侧;以及
一波纹管,连接于所述上结合部件与所述下结合部件,而且垂直地有弹性地压缩与延伸以吸收所述底部的变形。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述传输模块腔室包括:
一第一侧板部件,设置在所述底部的一端部,以直立站立在其上;
一上板部件,设置在与所述底部平行的所述第一侧板部件的一上端;以及
一第二侧板部件,设置在与所述第一侧板部件平行的所述上板部件的一端部。
4.根据权利要求3所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述基板处理自控装置包括:
一自控装置柄,凭借穿经所述自控装置设置孔而插入在所述自控装置设置孔;
一自控装置主体,设置在所述传输模块腔室底部的一上部;以及
一延伸凸缘,放射状地且向外地从在所述自控装置柄与所述自控装置主体之间而延伸。
5.根据权利要求4所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述上结合部件是设置在所述延伸凸缘的一上表面上且连结到所述延伸凸缘,所述下结合部件是设置在所述底部的一上表面且连结到所述底部。
6.根据权利要求5所述的化学气相沉积设备,其特征在于,进一步包括一O型环,所述的O型环插入到在所述上结合部件与所述延伸凸缘之间的一区域,以及在所述下结合部件与所述底部之间的一区域。
7.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备,其特征在于,进一步包括一自控装置支撑部件,具有连结到所述支撑框架且支撑所述基板处理自控装置的一端。
8.根据权利要求7所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述自控装置支撑部件包括:
一上水平部,连结到所述基板处理自控装置的一侧;
一下水平部,连结到所述支撑框架的一侧;以及
一垂直部,连结到所述上水平部以及所述下水平部。
9.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备,其特征在于,给予一组件补偿的一间隙,是允许相对于所述支撑框架的传输模块腔室形成在所述底部与所述支撑框架之间。
10.根据权利要求9所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述间隙是从所述底部的一下表面向上减少。
11.根据权利要求3所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述第一侧板部件比所述底部与所述上板部件薄,且至少一补强肋是更进一步设置在所述底部、所述第一侧板部件与所述上板部件之间。
12.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述变形吸收单元是由一金属材质所制成。
13.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述变形吸收单元包括:
一上结合部件,连结到所述基板处理自控装置的一侧;
一连接部件,连结到所述底部;
一单元本体,连结到所述连接部件的一端部;
一下结合部件,连结到所述单元本体的一侧;以及
一钢板弹簧,连结到所述上结合部件与所述下结合部件,且垂直地有弹性地压缩与延伸以吸收所述底部的变形。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





