[发明专利]制造第Ⅲ族元素氮化物半导体的设备及制造该半导体的方法

权利要求书

1.一种制造第III族氮化物半导体的设备，包括反应容器、加热装置和置于所述反应容器中的坩埚，所述设备用于通过在所述反应容器中使得保持在所述坩埚中的包含至少第III族金属和碱金属的熔融混合物与包含至少氮的气体反应来生长第III族氮化物半导体晶体，

其中所述设备具有第一供给管，所述第一供给管用于将气态掺杂剂和包含至少氮的气体的混合物供给至所述反应容器。

2.一种制造第III族氮化物半导体的设备，包括反应容器、加热装置和置于所述反应容器中的坩埚，所述设备用于通过在所述反应容器中使得保持在所述坩埚中的包含至少第III族金属和碱金属的熔融混合物与包含至少氮的气体反应来生长第III族氮化物半导体晶体，

其中所述设备具有第一供给管和第二供给管，所述第一供给管用于将包含至少氮的气体供给至所述反应容器，所述第二供给管用于将其中已熔融有可溶于所述第III族金属的掺杂剂的熔融第III族金属供给至所述反应容器。

3.一种制造第III族氮化物半导体的设备，包括反应容器、加热装置和置于反应容器中的坩埚，所述设备用于通过在所述反应容器中使得保持在所述坩埚中的包含至少第III族金属和碱金属的熔融混合物与包含至少氮的气体反应来生长第III族氮化物半导体晶体，

其中所述设备具有第一供给管和第三供给管，所述第一供给管用于将包含至少氮的气体供给至所述反应容器，所述第三供给管用于将其中已熔融有可溶于所述碱金属的掺杂剂的熔融碱金属供给至所述反应容器。

4.根据权利要求1所述的制造第III族氮化物半导体的设备，其中所述气态掺杂剂由包含Si或O作为组分元素的气体形成。

5.根据权利要求2所述的制造第III族氮化物半导体的设备，其中可溶于所述第III族金属的所述掺杂剂是单一元素形式的第2族元素、第12族元素或第14族元素。

6.根据权利要求3所述的制造第III族氮化物半导体的设备，其中可溶于所述碱金属的所述掺杂剂是氧化物。

7.根据权利要求1所述的制造第III族氮化物半导体的设备，其中所述设备具有用于供给碱金属至所述反应容器的第三供给管，和所述第三供给管用于以雾状形式供给所述碱金属。

8.根据权利要求2所述的制造第III族氮化物半导体的设备，其中所述设备具有用于供给碱金属至所述反应容器的第三供给管，和所述第三供给管用于以雾状形式供给所述碱金属

9.根据权利要求3所述的制造第III族氮化物半导体的设备，其中所述设备具有用于供给碱金属至所述反应容器的第三供给管，和所述第三供给管用于以雾状形式供给所述碱金属

10.一种制造第III族氮化物半导体晶体的方法，包括通过包含至少第III族金属和碱金属的熔融混合物与包含至少氮的气体的反应来生长第III族氮化物半导体晶体，

其中所述方法包括在晶体生长期间供给包含至少氮的气体和掺杂剂至所述熔融混合物，和

所述掺杂剂是气态的并且与所述包含至少氮的气体一起作为混合物来供给。

11.一种制造第III族氮化物半导体晶体的方法，包括通过包含至少第III族金属和碱金属的熔融混合物与包含至少氮的气体的反应来生长第III族氮化物半导体晶体，

其中所述方法包括在晶体生长期间供给熔融第III族金属、包含至少氮的气体和掺杂剂至所述熔融混合物，和

所述掺杂剂可溶于所述熔融第III族金属并且与所述熔融第III族金属一起作为熔融混合物来供给。

12.一种制造第III族氮化物半导体晶体的方法，包括通过包含至少第III族金属和碱金属的熔融混合物与包含至少氮的气体的反应来生长第III族氮化物半导体晶体，

其中所述方法包括在晶体生长期间供给熔融碱金属、包含至少氮的气体和掺杂剂至所述熔融混合物，和

所述掺杂剂可溶于所述熔融碱金属并且与所述熔融碱金属一起作为熔融混合物来供给。

13.根据权利要求10所述的制造第III族氮化物半导体晶体的方法，其中所述气态掺杂剂包含Si或O作为组分元素。