[发明专利]平板显示器件及该类器件的制造方法

权利要求书

1.一种平板显示器件，包括：

衬底，其分为用于显示图像的有源区和不显示图像的外围区；

栅线，其与数据线交叉，以限定所述有源区中的像素区；

薄膜晶体管，其位于所述栅线和所述数据线交叉的附近的区域中；

第一公共电极，其位于所述像素区中；

存储电极，其位于所述第一公共电极上，以提供存储电容；

像素电极，其与所述存储电极电连接，并与所述像素区、所述数据线和所述栅线重叠；以及

染料薄膜，其覆盖所述有源区和所述外围区，并具有含有带电粒子的微囊剂，

其中所述像素电极位于所述染料薄膜与存储电极之间，所述染料薄膜在与像素电极相反的一侧具有第二公共电极，并且在所述像素电极和第二公共电极之间形成电场。

2.根据权利要求1所述的平板显示器件，其特征在于，所述像素区包括：

在所述外围区分别由栅线和虚拟数据线交叉限定的多个虚拟像素区，其中每一个虚拟像素区包括：

在所述虚拟像素区的虚拟公共电极；以及

与所述虚拟公共电极重叠并从相应的虚拟数据线延伸的虚拟存储电极；以及

与外围区中的虚拟存储电极电接触的、整体形成的虚拟像素电极。

3.根据权利要求1所述的平板显示器件，其特征在于，还包括在所述像素电极和存储电极之间的介质层。

4.根据权利要求3所述的平板显示器件，其特征在于，分别在所述介质层之上和之下的第一钝化层和第二钝化层。

5.根据权利要求3所述的平板显示器件，其特征在于，所述介质层包括有机材料。

6.根据权利要求1所述的平板显示器件，其特征在于，所述像素电极延伸以覆盖所述像素区的栅线、数据线和薄膜晶体管。

7.根据权利要求1所述的平板显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极包括三源极部分、所述薄膜晶体管的漏极包括二漏极部分，其中所述漏极部分与所述源极部分是交替的。

8.根据权利要求7所述的平板显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道层位于所述源极的三源极部分和所述漏极的二漏极部分之间。

9.根据权利要求1所述的平板显示器件，其特征在于，还包括平行于栅线并与所述像素区交叉的公共线。

10.根据权利要求9所述的平板显示器件，其特征在于，所述公共线在公共线与数据线交叉的像素区之间的区域中的宽度比在像素区中的公共线的宽度更窄。

11.一种制造平板显示器件的方法，所述方法包括：

提供分为有源区、外围区和焊盘区的衬底；

利用含有掩膜的光刻胶方法，在所述衬底上形成金属层，以及形成栅极、公共电极、栅线、公共线以及栅极焊盘；

利用含有衍射掩膜和半色调掩膜之一的光刻胶方法在所述含有栅极的衬底上顺序形成栅绝缘层、无定形硅层、掺杂的无定形硅层以及其它金属层，以及在薄膜晶体管区形成沟道层、源极和漏极、存储电极、数据线以及数据焊盘；

在所述含有源极和漏极的衬底上形成第一钝化层、介质层以及第二钝化层，并移除与所述栅极焊盘和所述数据焊盘对应的介质层部分，同时在存储电极区形成接触孔；

利用含有掩膜的光刻胶方法在所述含有接触孔的衬底上形成透明导电材料，以及形成像素电极、栅极焊盘电极以及数据焊盘电极；以及

在所述像素电极上形成染料薄膜，所述染料薄膜覆盖所述有源区和所述外围区，并具有含有带电粒子的微囊剂；其中所述染料薄膜在与像素电极相反的一侧具有第二公共电极，并且在所述像素电极和第二公共电极之间形成电场。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述接触孔的形成包括：

在所述衬底上形成第一钝化层和介质层，并在所述存储电极中移除一部分介质层以形成接触孔，移除与栅极焊盘区和数据焊盘区对应的所述介质层部分；以及

在所述介质层形成接触孔，在所述衬底上形成所述第二钝化层，以及在所述存储电极区、栅极焊盘区以及数据焊盘区形成接触孔。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述像素电极通过所述接触孔与所述存储电极电连接。