[发明专利]一种制造改善寄生漏电流的STI结构的方法

权利要求书

1.一种制造改善寄生漏电流的STI结构的方法，其特征在于包含如下步骤：

提供一个具有浅沟渠绝缘结构的基底，该基底上表面涂覆有SiN罩幕层；

在该基底的上部及浅沟渠绝缘结构中沉积氧化物；

对上述氧化物进行第一次研磨；

在研磨至SiN罩幕层后停止研磨，然后再沉积一层SiN罩幕层；

对上述SiN罩幕层进行第二次研磨；

采用湿式蚀刻去除SiN罩幕层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于上述氧化物是SiO2。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于上述研磨是化学机械研磨。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于采用该方法在研磨结束后SiN高度为700A～1000A。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于采用该方法在研磨结束后SiN高度为800A。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于上述湿式蚀刻的泡酸时间为1000秒～1400秒。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于上述湿式蚀刻的泡酸时间为1200秒。