[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括覆盖有树脂体的DC-DC转换器，

所述DC-DC转换器包括高端MOSFET、低端MOSFET、用于驱动所述高端MOSFET的第一驱动器电路和用于驱动所述低端MOSFET的第二驱动器电路，

所述树脂体具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面，

所述半导体器件包括:

第一半导体芯片(5a)，其包括所述高端MOSFET，所述第一半导体芯片具有第一源极焊盘(BP2)和第一漏极；

所述第一源极焊盘面向所述树脂体的顶表面；

第二半导体芯片(5b)，其包括低端MOSFET，所述第二半导体芯片具有第二源极焊盘(BP6)和第二漏极；

输入端子(ET1/7b1)，其从所述树脂体的底表面暴露并且电连接到所述第一半导体芯片的第一漏极；

地电位端子(ET3/7b2)，其从所述树脂体的底表面暴露并且电连接到所述第二半导体芯片的第二源极焊盘；

输出端子(ET4/7b3)，其从所述树脂体的底表面暴露并且电连接到所述第一半导体芯片的第一源极焊盘和所述第二半导体芯片的第二漏极；

金属板导体(30)，其与所述第一半导体芯片的第一源极焊盘电连接且机械连接，

所述第一半导体芯片的第一源极焊盘和所述第二半导体芯片的第二漏极通过所述金属板导体彼此电连接，

其中所述第一半导体芯片在平面图中具有矩形形状，其中具有一对长边和一对短边，

其中所述金属板导体布置成在平面图中与所述第一半导体芯片的一个长边重叠，

其中所述第一半导体芯片的所述一个长边设置成使得所述第二半导体芯片和所述一个长边的最近距离小于所述第二半导体芯片和另一个长边的最近距离。

2.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述第一源极焊盘在平面图中形成为矩形形状，其中具有一对长边和一对短边，以及

其中所述第一半导体芯片的长边平行于所述第一源极焊盘的长边。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中所述金属板导体通过焊料与所述第一源极焊盘连接。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中所述金属板导体由铜构成。

5.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一半导体芯片具有键合焊盘；以及

键合线与每一个所述键合焊盘连接。

6.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一和第二驱动器电路形成在所述第一半导体芯片中。