[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

半导体衬底，包括光电二极管；

第一电介质，位于该半导体衬底上；

第二电介质图案，位于该第一电介质上；

沟槽，位于该第二电介质图案的一侧，其中该沟槽的至少一部分位于该光电二极管上方；

平坦化层，位于该沟槽中；以及

滤色镜，位于该平坦化层上。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，该第一电介质包括硅烷材料。

3.如权利要求1所述的图像传感器，还包括：

第一掩模图案，位于该第一电介质上，并位于该第二电介质图案下方；以及

第二掩模图案，位于该第二电介质图案的外表面上。

4.如权利要求3所述的图像传感器，其中，该第一掩模图案包括氮化物材料，并且该第二电介质图案包括氮化物材料。

5.如权利要求1所述的图像传感器，其中，该平坦化层包括感光材料。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其中，该第二电介质图案被设置为使得该第二电介质图案的任一部分都不位于该光电二极管上方。

7.如权利要求1所述的图像传感器，还包括：微透镜，位于该滤色镜上。

8.如权利要求1所述的图像传感器，其中，该第二电介质图案包括多个金属互连件。

9.一种图像传感器的制造方法，包括如下步骤：

在半导体衬底中形成光电二极管；

在包括该光电二极管的该半导体衬底上形成第一电介质；

在该第一电介质上形成第二电介质图案；

在该第二电介质图案的一侧形成第二沟槽，其中该第二沟槽的至少一部分位于该光电二极管上方；

在该沟槽中形成平坦化层；以及

在该平坦化层上形成滤色镜。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该第一电介质包括硅烷材料。

11.如权利要求9所述的方法，其中，该第二电介质图案包括多个形成于其中的金属互连件。

12.如权利要求9所述的方法，其中，形成该第二电介质图案和该第二沟槽的步骤包括如下步骤：

在该第一电介质上形成第一掩模；

在该第一掩模上形成第二电介质和位于该第二电介质中的多个金属互连件；

去除该第二电介质位于该光电二极管上方的一部分，以形成该第二电介质图案，并在该第二电介质图案的一侧形成第一沟槽；

在该第二电介质图案上形成第二掩模；以及

去除该第一掩模位于该光电二极管上方的一部分和该第二掩模位于该光电二极管上方的一部分，以形成该第二沟槽。

13.如权利要求12所述的方法，其中，该第一掩模包括氮化物材料，并且该第二掩模包括氮化物材料。

14.如权利要求12所述的方法，其中，位于该第一电介质上和该第二电介质图案下方的该第一掩模的剩余部分形成第一掩模图案，并且位于该第二电介质图案的外表面上的该第二掩模的剩余部分形成第二掩模图案。

15.如权利要求9所述的方法，其中，该平坦化层包括感光材料。

16.如权利要求9所述的方法，其中，形成该平坦化层的步骤包括如下步骤：

在该第二沟槽中沉积感光材料；以及

在该感光材料上实施化学机械抛光工艺以形成该平坦化层。

17.如权利要求16所述的方法，还包括如下步骤：在该第二电介质图案的外表面上形成第二掩模图案，其中，在该化学机械抛光工艺期间，该第二掩模图案用作抛光终止点。

18.如权利要求9所述的方法，其中，该第二掩模图案被形成为使得该第二电介质图案的任一部分都不位于该光电二极管上方。

19.如权利要求9所述的方法，还包括在该滤色镜上形成微透镜。

20.如权利要求9所述的方法，还包括在形成该滤色镜之前，在平坦化层上形成钝化层。