[发明专利]纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板

权利要求书

1.一种纳米压印用二次压印模板的制作方法，其特征在于，是使用刻有分布反馈光栅图案的一次压印模板，利用分步重复压印方法在另一基片上连续印制，将该基片制作出具有多个与一次压印模板上的分布反馈光栅图案相同的直径为2～4英寸大小的二次压印模板。

2.根据权利要求1所述的纳米压印用二次压印模板的制作方法，其特征在于，所述的刻有分布反馈光栅图案的一次压印模板是利用电子束直写技术在一次模板上制作100～1000个分布反馈光栅结构，在分布反馈光栅中间具有相移结构。

3.根据权利要求1所述的纳米压印用二次压印模板的制作方法，其特征在于，所述的压印方法是采用热压印方法，或采用紫外固化压印方法，或微接触压印方法中的一种。

4.根据权利要求1所述的纳米压印用二次压印模板的制作方法，其特征在于，所述的二次压印模板的具体制作方法包括如下步骤：

1)利用电子束直写技术制作出具有相移结构的分布反馈光栅图案的一次压印模板(11)；

2)在二次基片(12)上均匀涂布一层热塑性高分子光刻胶(13)，并将光刻胶(13)加热到玻璃转化温度以上；

3)利用机械力将一次压印模板(11)压入到已高温软化的光刻胶(13)内，并维持高温、高压1～10分钟，使热塑性高分子光刻胶(13)填充到一次压印模板(11)的纳米结构内；

4)待光刻胶(13)冷却固化后，释放压力，将一次压印模板(11)脱离二次基片(12)；

5)平移一次压印模板(11)，重复步骤3和4，在光刻胶(13)上重复进行压印复制一次压印模板(11)的图形；

6)对二次基片(12)表面的带有压印图形的光刻胶(13)进行反应离子刻蚀去除残留的底胶；

7)在带有光刻胶图形的二次基片(12)表面溅射一薄层金属膜(14)；

8)采用剥离工艺去除二次基片(12)表面的光刻胶(13)以及其上面覆盖的金属膜(14)，而二次基片(12)表面无光刻胶(13)处覆盖的金属膜(14)被保留下来；

9)最后，以二次基片(12)表面保留下来的金属膜(14)作为掩膜，采用反应离子刻蚀的方法，将二次基片(12)制作出所需要的具有相移型分布反馈光栅结构的二次压印模板(12-1)。

10)分别采用不同的二次基片，重复步骤2至9制作出多个二次压印模板(12-2，12-3，…，12-n)。

5.一种采用权利要求1所述的纳米压印用二次压印模板的制作方法制作的二次压印模板，其特征在于，包括有基板(21)，在基板(21)上形成有多数个相同的成套密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈光栅结构(22)。

6.根据权利要求5所述的采用纳米压印用二次压印模板的制作方法制作的二次压印模板，其特征在于，所述的分布反馈光栅结构(22)的分布反馈光栅周期为：d_i＝λ_i/(2n_eff)，其中d_i为光栅周期，λ_i为符合ITU-T要求的激光器波长，其值在C波段为1525～1565nm，在L波段为1565～1605nm，波长间隔为0.8nm或者0.4nm，n_eff为激光器材料的有效折射率，典型值为3～3.5。