[发明专利]一种提高陶瓷热障涂层隔热性能的后处理方法无效

专利信息
申请号: 200810150959.8 申请日: 2008-09-12
公开(公告)号: CN101357855A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: 张晖;梁工英;丁秉钧;王铁军;虞烈 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C04B41/85 分类号: C04B41/85
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 朱海临
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 陶瓷 热障 涂层 隔热 性能 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种提高陶瓷热障涂层隔热性能的后处理方法,其特征在于,包括以 下步骤:

a、采用薄膜制备工艺,在陶瓷热障面层上沉积一层铝薄膜;

b、在真空炉中,对覆盖有铝薄膜的陶瓷热障涂层工件进行扩散加热,工 艺条件是:真空度10-2~10-3Pa,温度450~610℃,保温时间40~90分钟,随 炉冷却至室温;

c、将铝扩散后的陶瓷热障涂层工件置于电阻炉中,在空气中于600~900℃ 对陶瓷热障涂层中的扩散铝进行氧化,时间2~4小时,在涂层孔隙和裂纹中 形成氧化铝。

2.如权利要求1所述提高陶瓷热障涂层隔热性能的后处理方法,其特征 在于,所述薄膜制备工艺包括采用磁控溅射、真空蒸发的方法。

3.如权利要求1所述提高陶瓷热障涂层隔热性能的后处理方法,其特征 在于,所述步骤a铝薄膜的沉积厚度是10~50nm。

4.如权利要求2所述提高陶瓷热障涂层隔热性能的后处理方法,其特征 在于,所述磁控溅射工艺条件为,纯度99.99%以上的铝靶,靶与工件涂层距 离50mm,直流电源,电流0.1A,工作气体Ar气,压力0.4Pa,流速28SCCM。

5.如权利要求2所述提高陶瓷热障涂层隔热性能的后处理方法,其特征 于,所述真空蒸发工艺条件为:真空度7×10-2Pa,钨电阻加热蒸发源,加热 温度1250℃,原料99.99%以上高纯铝。

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