[发明专利]一种 MgB2 基复合元素掺杂超导体的制备方法有效
| 申请号： | 200810150895.1 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101343184A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 闫果;刘国庆;王庆阳;熊晓梅;李成山 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;H01B12/00 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 | 代理人： | 李子安 |
| 地址： | 710016陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mgb sub 复合 元素 掺杂 超导体 制备 方法 | ||
1.一种MgB2基复合元素掺杂超导体的制备方法，其特征在于所述制备方法步骤为：
(1)将干燥的镁粉、硼粉和Ti3SiC2粉末按照摩尔比Mg∶B∶Ti3SiC2＝1-0.3x∶2-0.5x∶x的比例充分混合1-2小时，其中0.05≤x≤0.30；
(2)将步骤(1)中混合后的粉末用油压机压制成片材或块材；然后将所述片材或块材置于真空退火炉中，于室温下对所述真空退火炉抽真空，待所述真空退火炉真空度达到10-3Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，所述氩气与氢气的体积百分比为24∶1，然后以60℃/分钟-100℃/分钟的升温速率将所述片或块材加热，在700℃-1000℃的温度下保温1-10小时；最后以25℃/分钟-50℃/分钟的冷却速率将所述片材或块材冷却至室温，便制成MgB2基复合元素掺杂超导体。
2.按照权利要求1所述的一种MgB2基复合元素掺杂超导体的制备方法，其特征在于步骤(1)中所述镁粉的纯度为99％，所述硼粉的纯度为99％，所述Ti3SiC2粉末的纯度为95％。
3.按照权利要求1所述的一种MgB2基复合元素掺杂超导体的制备方法，其特征在于步骤(2)中所述油压机对混合后的粉末的施加压力为20-80MPa。
4.按照权利要求1所述的一种MgB2基复合元素掺杂超导体的制备方法，其特征在于步骤(2)中所述片材或块材为圆形，且其直径为20mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北有色金属研究院，未经西北有色金属研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810150895.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
