[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵液晶显示装置，包括：

衬底之上的栅电极；

所述栅电极之上的绝缘膜；

所述栅电极之上的氧化物半导体膜，所述绝缘膜夹在所述栅电极 和所述氧化物半导体膜之间；

沟道保护膜，形成于所述氧化物半导体膜之上；

源电极和漏电极，形成于所述氧化物半导体膜和所述沟道保护膜 之上；

钝化膜，包括至少形成于所述源电极、所述漏电极、所述沟道保 护膜和所述氧化物半导体膜之上的绝缘材料，

像素电极，形成于所述钝化膜之上，并且电连接到所述源电极和 所述漏电极中之一，

其中所述氧化物半导体膜包括基于In-Ga-Zn-O的氧化物半导体。

2.如权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装置，其中所述氧化物 半导体膜包括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体。

3.如权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装置，其中所述氧化物 半导体膜具有200nm或更小的厚度。

4.如权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装置，其中所述钝化膜 包括氧化硅。

5.一种电视设备，具有如权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装 置。

6.一种计算机，具有如权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装置。

7.一种有源矩阵液晶显示装置，包括：

形成于衬底之上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：

所述衬底之上的第一栅电极；

所述第一栅电极之上的第一绝缘膜；以及

所述第一栅电极之上的第一氧化物半导体膜，所述第一绝缘 膜夹在所述第一栅电极和所述第一氧化物半导体膜之间；

形成在所述第一氧化物半导体膜之上的一对电极，其中该对电极 中的每个电极包括在所述第一氧化物半导体膜的上表面上的钛膜以及 形成于所述钛膜上的、包括铝或铝合金的第二导电膜；

钝化膜，至少形成于所述第一氧化物半导体膜和该对电极之上；

形成于所述钝化膜之上并电连接到所述第一薄膜晶体管的像素电 极；

电连接到所述第一薄膜晶体管的第一驱动器电路；

电连接到所述第一薄膜晶体管的第二驱动器电路；

其中所述第一和第二驱动器电路中至少之一包括第二薄膜晶体 管，所述第二薄膜晶体管包括：

所述衬底之上的第二栅电极；

所述第二栅电极之上的第二绝缘膜；以及

所述第二栅电极之上的第二氧化物半导体膜，所述第二绝缘 膜夹在所述第二栅电极和所述第二氧化物半导体膜之间，

其中所述第一与第二氧化物半导体膜中的每个包括基于 In-Ga-Zn-O的氧化物半导体。

8.如权利要求7所述的有源矩阵液晶显示装置，其中所述第一和 第二氧化物半导体膜中的每个包括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导 体。

9.如权利要求7所述的有源矩阵液晶显示装置，其中所述第一驱 动器电路和所述第二驱动器电路中的另一个通过COG方法安装。

10.如权利要求7所述的有源矩阵液晶显示装置，其中所述第一驱 动器电路和所述第二驱动器电路中的另一个通过TAB方法安装。

11.如权利要求7所述的有源矩阵液晶显示装置，其中所述第一薄 膜晶体管具有多栅结构。

12.一种电视设备，具有如权利要求7所述的有源矩阵液晶显示装 置。

13.一种计算机，具有如权利要求7所述的有源矩阵液晶显示装 置。