[发明专利]气密模块以及该气密模块的排气方法

说明书

技术领域

本发明涉及气密模块以及该气密模块的排气方法，特别涉及具有 通过被施加规定处理而在主面上形成有图案的基板被搬入用的腔室的 气密模块。

背景技术

对作为基板的晶片实施规定的处理、例如等离子体处理的基板处 理系统包括：收容晶片并对其实施等离子体处理的处理模块(process module)；向该处理模块搬入晶片并且将处理完的晶片从该处理模块搬 出的负载锁定模块(load lock module)；和从收容多个晶片的容器中取 出晶片并将其交接至负载锁定模块的装载模块(loader module)。

通常，基板处理系统的负载锁定模块具有下述功能，即，其具有 用于接收晶片的腔室，在大气压下接收晶片，并在腔室内被真空排气 至规定的压力之后，打开处理模块一侧的门，将晶片搬入到处理模块 内，若等离子体处理结束，则从处理模块搬出处理完的晶片，并关闭 处理模块一侧的门，使腔室内恢复至大气压，将晶片搬出至装载模块 (例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2006-128578号公报

然而，在上述的负载锁定模块中，实施完等离子体处理而在主面 上形成有图案的晶片在大气压下被接收之后，若对腔室内进行真空排 气，则形成于晶片主面上的图案会发生倾倒。

作为图案倾倒的产生过程，如图8所示，认为是在真空排气时， 存在于腔室内的图案P间的气体分子m与图案P发生冲突，因为该冲 突的气体分子m的运动量而使图案P发生倾倒。

在晶片主面上发生图案倾倒的情况，会在由该晶片制造的半导体 设备中引起短路等不良情况，从而最终导致降低制造出的半导体设备 的生产率。

在现有技术中，为了应对该情况，在负载锁定模块中，通过降低 真空排气时的排气速度，来降低腔室内的气体分子的运动量，从而防 止发生图案倾倒，但是，会产生下述问题，即，若降低真空排气时的 排气速度，则达到规定的真空度需要很长时间，因此基板处理系统的 生产效率明显降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种气密模块以及该气密模块的排气方 法，能够不降低生产效率地防止在基板主面上形成的图案发生倾倒。

为了实现上述目的，本发明第一方面的气密模块，该气密模块具 有腔室，被实施规定的处理而在主面上形成有图案的基板被搬入到该 腔室内，所述气密模块的特征在于，包括：以与所述被搬入的基板的 所述主面相对的方式配置的板状部件。

本发明第二方面的气密模块，其特征在于：在本发明第一方面所 述的气密模块中，所述板状部件被配置成与所述主面之间的间隔为 5mm以下。

本发明第三方面的气密模块，其特征在于：在本发明第一或者第 二方面所述的气密模块中，所述板状部件为网眼状结构体或者多孔结 构体。

本发明第四方面的气密模块，其特征在于：在本发明第一或者第 二方面所述的气密模块中，所述板状部件被施加切口加工。

本发明第五方面的气密模块，其特征在于：在本发明第一或者第 二方面所述的气密模块中，所述板状部件具有贯通该板状部件的多个 孔。

本发明第六方面的气密模块，其特征在于：在本发明第五方面所 述的气密模块中，所述多个孔沿着相对于所述主面垂直方向形成。

本发明第七方面的气密模块，其特征在于：在本发明第五或者第 六方面所述的气密模块中，该气密模块具有以与所述主面相对的方式 配置并且对所述腔室内进行排气的排气装置。

本发明第八方面的气密模块，其特征在于：在本发明第一～第七 方面所述的气密模块的任一个中，该气密模块具有向所述腔室内供给 轻元素气体的气体供给装置。

本发明第九方面的气密模块，其特征在于：在本发明第一～第八 方面所述的气密模块的任一个中，该气密模块具有使所述板状部件和 所述主面隔离开的隔离装置。

为了实现上述目的，本发明第十方面提供一种气密模块，该气密 模块具有腔室，被实施规定的处理而在主面上形成有图案的基板被搬 入到该腔室内，所述气密模块的特征在于，包括：基板抬升装置，该 基板抬升装置向着与所述被搬入的基板的所述主面相对的、划分所述 腔室的部件抬升该基板。