[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200810135797.0 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101452837A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 大野彰仁;竹见政义;富田信之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王 岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件的制造方法，其中，具有：
工序(a)，准备上表面相对于(0001)面在<1-100>方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度的氮化镓衬底；
工序(b)，在上述氮化镓衬底的上述上表面上形成氮化物类半导体层；以及
工序(c)，在上述工序(a)、(b)之间，在含有NH3和运载气体的混合气体的环境中、或者在含有NH3、H2、运载气体的混合气体的环境中、或者在从上述混合气体中除去上述运载气体的环境中，对上述氮化镓衬底在大于等于800℃小于等于1200℃下执行大于等于5分钟的热处理，
在上述工序(c)中，在使用含有NH3、H2、运载气体的混合气体时，该混合气体中H2的比例设定为小于等于30％。
2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，
在上述工序(c)中，对上述氮化镓衬底执行大于等于5分钟小于等于30分钟的热处理。
3.如权利要求1或权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其中，
在上述工序(c)中，对上述氮化镓衬底在大于等于1000℃小于等于1200℃下执行热处理。
4.如权利要求1或权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其中，
在上述工序(c)中，对上述氮化镓衬底在1000℃下执行大于等于10分钟的热处理，进而，在使用含有NH3、H2、运载气体的混合气体时，该混合气体中的H2的比例设定为小于等于10％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
