[发明专利]用于制作发光器件的方法有效
| 申请号: | 200810134334.2 | 申请日: | 2003-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN101335320A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
| 发明(设计)人: | 康学军;吴大可;爱德华·R·佩里;袁述 | 申请(专利权)人: | 霆激科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01S5/024 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
| 地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制作 发光 器件 方法 | ||
1.一种用于制作发光器件的方法,所述方法包括的步骤为:
(a)提供包括衬底(12)以及安装在该衬底(12)上的多个外延层(14) 的晶片(10),该多个外延层(14)包括其中能够产生光的有源区;
(b)在该多个外延层(14)的第一表面上形成第一欧姆接触层(20);
(c)在该第一欧姆接触层(20)上涂布粘结层(22);
(d)在该外延层(14)上形成在该第一欧姆接触层(20)上的导热金 属的籽层(24)和形成与该衬底(12)相对的图案(26);
(e)在该籽层(24)和该图案(26)之间电镀形成导热金属的层(28), 该层(28)的高度不大于该图案(26)的高度;
(f)去除该衬底(12)。
2.如权利要求1所述的方法,其中该图案(26)形成在该籽层(24) 上。
3.如权利要求2所述的方法,其中该籽层(24)上的图案(26)通过 下述一种或多种形成:光致抗蚀剂构图和随后的湿法蚀刻、以及激光束微加 工。
4.如权利要求1所述的方法,其中该籽层(24)是在该图案(26)形 成之前形成的,该图案(26)形成于该籽层(24)之上。
5.如权利要求4所述的方法,其中该籽层(24)之上的图案(26)通 过下述一种或多种形成:光致抗蚀剂构图和随后的湿法蚀刻、以及激光束微 加工。
6.如权利要求1至5任意一项所述的方法,其中该层(28)形成为大 于该图案(26)的高度且随后被减薄。
7.如权利要求1所述的方法,其中该图案(26)通过下述一种或多种 形成:光致抗蚀剂构图和随后的湿法蚀刻、以及激光束微加工。
8.如权利要求1所述的方法,其中该图案(26)的高度在15微米至500 微米的范围。
9.如权利要求1所述的方法,其中该图案(26)的去除是通过下述之 一:抗蚀剂剥离溶液中溶解、以及等离子体灰化。
10.如权利要求1所述的方法,其中该层(28)提供选自由下述组成的 群组至少之一:用于该发光器件的机械支撑、用于该发光器件的电连接以及 用于该发光器件的热沉。
11.如权利要求1所述的方法,其中该第一表面远离该衬底(12)。
12.如权利要求1所述的方法,其中该第一欧姆接触层(20)形成与该 多个外延层(14)的第一表面的欧姆接触。
13.如权利要求1所述的方法,其中该第一欧姆接触层(20)包括多个 金属层。
14.如权利要求1所述的方法,其中该层(28)至少50微米厚。
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