[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在蚀刻目标层上形成偶数个第一硬掩模图案；

在所述第一硬掩模图案的侧壁上形成牺牲图案；

在所述牺牲图案的侧壁上形成第二硬掩模图案，其中所述第二硬掩模 图案形成为具有在所述第一硬掩模图案之间的第一间隔；和

通过使用所述第一和所述第二硬掩模图案来蚀刻所述蚀刻目标层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一硬掩模图案的宽度相对在 两个相邻第一硬掩模图案之间间隔的宽度之比是约1:5。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一硬掩模图案的宽度对在两 个相邻第一硬掩模图案之间间隔的宽度之比是约1:(5+4N)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一硬掩模图案和所述第二硬 掩模图案具有相同线宽。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一硬掩模图案、所述第二硬 掩模图案、所述牺牲图案和所述第一间隔具有相同线宽。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一硬掩模图案的侧壁上的 所述牺牲图案的形成包括：

在具有所述第一硬掩模图案的所得结构上形成牺牲层；和

对所述牺牲层实施无掩模蚀刻工艺，由此形成所述牺牲图案。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二硬掩模图案的形成包括：

在具有所述第一硬掩模图案和所述牺牲图案的所得结构上形成第二硬 掩模层；和

对所述第二硬掩模层实施无掩模蚀刻工艺以形成所述第二硬掩模图 案。

8.根据权利要求3所述的方法，其中N是0或从1至100的自然数。