[发明专利]对半导体晶圆粘贴粘合带的方法以及保护带的剥离方法无效
| 申请号： | 200810127828.8 | 申请日： | 2008-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101339896A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 山本雅之;池田谕 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;陈立航 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对半 导体 粘贴 粘合 方法 以及 保护 剥离 | ||
1.一种对半导体晶圆粘贴粘合带的方法，其特征在于，上述方法包括以下的过程：
检测在半导体晶圆的外周部产生的缺陷的检测过程；
存储上述检测过程检测到的缺陷的位置的存储过程；以及
根据所存储的上述缺陷的位置信息，避开上述缺陷的位置以决定对上述半导体晶圆粘贴粘合带的粘贴方向的过程。
2.根据权利要求1所述的对半导体晶圆粘贴粘合带的方法，其特征在于，
将上述粘合带的粘贴方向决定为从避开上述缺陷的位置的位置起沿直径方向的方向。
3.根据权利要求1所述的对半导体晶圆粘贴粘合带的方法，其特征在于，
在半导体晶圆的外周部存在多个缺陷的情况下，比较各缺陷的面积，将上述粘合带的粘贴方向决定为从避开缺陷面积较大的部位的位置起沿直径方向的方向。
4.根据权利要求1所述的对半导体晶圆粘贴粘合带的方法，其特征在于，
在缺陷是裂纹的情况下，上述粘合带的粘贴将避开裂纹的位置设为粘贴开始位置，并且使粘贴方向沿着裂纹的长度方向。
5.一种粘贴在半导体晶圆上的保护带的剥离方法，其特征在于，上述方法包括以下过程：
检测在半导体晶圆的外周部产生的缺陷的检测过程；
存储上述检测过程检测到的缺陷的位置的存储过程；以及
根据所存储的上述缺陷的位置信息，避开上述缺陷的位置以决定粘贴在上述半导体晶圆的图案形成面上的保护带的剥离方向的过程。
6.根据权利要求5所述的保护带的剥离方法，其特征在于，
将上述保护带的剥离方向决定为从避开上述缺陷的位置的位置起沿直径方向的方向。
7.根据权利要求5所述的保护带的剥离方法，其特征在于，
在半导体晶圆的外周部存在多个缺陷的情况下，比较各缺陷的面积，将上述保护带的剥离方向决定为从避开缺陷面积较大的部位的位置起沿直径方向的方向。
8.根据权利要求5所述的保护带的剥离方法，其特征在于，
在缺陷是裂纹的情况下，上述保护带的剥离将避开裂纹的位置设为剥离开始位置，并且使剥离方向沿着裂纹的长度方向。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
