[发明专利]测量温度和热处理的方法及系统

权利要求书

1.一种热处理工件的方法，所述方法包括：

a)测量从工件的第一表面热发射的辐射的当前强度，其中所述工件包括半导体晶片，并且所述第一表面包括所述半导体晶片的器件侧；

b)根据所述当前强度和在相应先前时刻所述第一表面的至少一个先前热属性来确定所述第一表面的当前温度；和

c)根据所述第一表面的当前温度来控制入射在所述工件的第一表面上的照射闪光的能量。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述确定包括在所述照射闪光的初始部分期间确定所述第一表面的温度，并且其中所述控制包括控制所述照射闪光的其余部分的功率。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括产生所述照射闪光，其中所述照射闪光的持续时间少于所述工件的热传导时间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述确定包括在所述第一表面暴露于所述照射闪光时根据从所述第一表面热发射的辐射的所述当前强度的连续相应值反复确定所述第一表面的当前温度的连续值，所述照射闪光的持续时间少于所述工件的热传导时间。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其中控制所述照射闪光的能量包括降低所述照射闪光的能量输出。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述降低包括使至少一部分电脉冲绕开由所述脉冲产生所述照射闪光的至少一个照射装置。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其中控制所述照射闪光的能量包括增加所述照射闪光的峰值功率输出。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述增加包括使至少一部分电脉冲绕开与由所述脉冲产生所述照射闪光的至少一个照射装置电连接的电感器。

9.根据权利要求2所述的方法，其中控制所述照射闪光的其余部分的功率包括重定向产生所述照射闪光的电脉冲的至少一部分。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括通过关闭第一开关从而开始通过照射装置释放所述照射闪光来启动所述照射闪光，并且其中所述重定向包括关闭第二开关以重定向至少一部分所述电脉冲。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述重定向包括关闭跨接照射装置的开关以使至少一部分所述电脉冲流过所述开关而不流过所述照射装置。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述开关与电阻器串联连接，其中所述开关和所述电阻器跨接所述照射装置，并且其中所述重定向包括关闭所述开关以使至少一部分所述电脉冲流过所述开关和所述电阻器而不流过所述照射装置。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述电脉冲的初始部分沿一次路径前进以产生所述闪光的初始部分，并且其中重定向至少一部分所述电脉冲包括沿着电感低于所述一次路径的二次路径重定向所述电脉冲的其余部分的至少一部分。

14.一种用于热处理工件的系统，所述系统包括：

a)温度测量系统，其配置用于确定所述工件的第一表面的当前温度，其中所述工件包括半导体晶片，并且所述第一表面包括所述半导体晶片的器件侧；并且其中所述温度测量系统包括

(i)配置用于测量从所述工件的所述第一表面热发射的辐射的当前强度的测量装置；和

(ii)至少一个与所述测量装置通讯的处理器电路，所述至少一个处理器电路配置用于根据所述当前强度和在相应先前时刻所述第一表面的至少一个先前热属性来确定所述第一表面的当前温度；和

b)照射控制系统，其配置用于根据所述第一表面的当前温度来控制入射在所述工件的第一表面上的照射闪光的能量，其中所述照射控制系统包括可操作用于使所述工件的第一表面暴露于所述照射闪光的照射系统和配置用于控制所述照射系统从而控制所述照射闪光能量的处理器电路。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述温度测量系统配置用于在所述照射闪光的初始部分期间确定所述第一表面的温度，并且其中所述照射控制系统配置用于控制所述照射闪光的其余部分的功率。

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述照射系统可操作用于产生持续时间少于所述工件的热传导时间的所述照射闪光。