[发明专利]用于在垂直式反应炉内批量加工的方法和装置

权利要求书

1.一种用于加工多个基片的方法，包括：

将该多个基片放置在批量加工室的内部体积内，其中以基本平行的方式排列该多个基片，并且将该多个基片的至少一部分以器件侧向下的方式放置；以及

使一种或几种加工气体流过该多个基片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，放置该多个基片包括使该多个基片中的每一个的器件侧向下。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，放置该多个基片包括交替改变该多个基片的器件侧的方向。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，放置该多个基片还包括交替改变该多个基片的间隔，其中器件侧彼此面向的两个相邻基片之间的间隔大于背侧彼此面向的两个相邻基片之间的间隔。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，放置该多个基片包括为了提高批量加工室内的基片装载而减小背侧彼此面向的两个相邻基片之间的间隔。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，放置该多个基片包括：

将该多个基片装载在基片支撑组件内；以及

将该基片支撑组件移入到批量加工室的内部体积内。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，将基片支撑组件设置成在多个支撑槽缝中接收该多个基片，该多个支撑槽缝中的每一个包括具有向下倾斜接收表面的三个或多个支撑齿。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使一种或多种加工气体流过包括与该多个基片基本平行地使该一种或多种加工气体流过。

9.一种用于加工半导体基片的方法，包括：

将多个基片装载到设置成以基本平行方式支撑该多个基片的基片支撑组件，其中将该多个基片中的每一个的器件侧定向为面向相邻基片的器件侧；

将该基片组件放置在由批量加工室确定的加工体积内；以及

使一种或多种加工气体流入到该加工体积内。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，将该多个基片与水平方向基本平行地放置。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该多个基片之间的间隔是可变的。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，器件侧彼此面向的两个相邻基片之间的间隔大于背侧彼此面向的两个相邻基片之间的间隔。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该基片支撑组件具有每一个设置成在基本水平取向上接收基片的多个基片支撑槽缝。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，该多个支撑槽缝中的每一个包括具有设置成在基片边缘附近接收基片的向下倾斜接收表面的三个或几个支撑齿。

15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，使一种或多种加工气体流入包括与该多个基片基本平行地使该一种或多种加工气体流入。

16.一种批量加工室，包括：

确定加工体积的室体；以及

基片支撑组件，包括：

三个或几个支撑柱；以及

从该三个或几个支撑柱延伸的多个支撑齿，其中该多个支撑齿形成设置成支撑在其中的多个基片的多个槽缝，并且该多个支撑齿的至少一部分具有设置成接收基片的倾斜表面。

17.如权利要求16的批量加工室，其特征在于，将该多个槽缝的至少一部分设置成以器件侧向下的方式支撑基片。

18.如权利要求16的批量加工室，其特征在于，沿该三个或多个支撑柱中的每一个均匀分布该多个支撑齿。

19.如权利要求16的批量加工室，其特征在于，沿该三个或多个支撑柱中的每一个交替间隔地分布该多个支撑齿。

20.如权利要求16的批量加工室，其特征在于，还包括：

耦合到该室体的一侧的设置成向加工体积提供一种或几种加工气体的注入组件；以及

在与该注入组件相对侧耦合到该室体的排气组件。