[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有沟槽栅极晶体管，该方法至少具有以下工序：在半导体基板上设置元件分离绝缘膜和活性区域的工序；在上述活性区域内形成沟槽的工序；去除或减少上述沟槽的内部副生的飞边的工序；以及在上述沟槽的内部形成栅极绝缘膜并且在上述沟槽中形成栅电极的工序，其中，

上述沟槽的两端部与上述元件分离绝缘膜相接设置，

并且上述沟槽包括：位于上述半导体基板的一个面上的开口部；位于上述元件分离绝缘膜侧，并与上述开口部连接的一对第1内壁；位于上述活性区域侧，并与上述开口部连接的一对第2内壁；和位于上述开口部的对面，与上述第1内壁及上述第2内壁连接的底部，

上述第2内壁的截面轮廓线为直线状，

上述去除或减少飞边的工序具有以下工序：

第1飞边去除工序，通过氢烘烤处理去除或减少上述飞边；

保护膜形成工序，通过氧化处理在上述沟槽的表面形成保护膜；以及

第2飞边去除工序，对形成了上述保护膜的上述沟槽的表面进行氢烘烤处理，使上述第2内壁的截面轮廓线保持直线状，同时进一步去除或减少残存的飞边。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述第2内壁的截面轮廓线形成为中间沟槽宽度和上部沟槽宽度的比为0.9～1.05的范围。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在上述第1飞边去除工序中，将上述飞边的高度去除或减少到距上述底部20％以下，在上述第2飞边去除工序中，将上述飞边的高度去除或减少到距上述底部5nm以下。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述氢烘烤处理，在至少使氢气以5升/分以上的流量流动的同时，进行800～900℃的烘烤处理。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述保护膜的厚度形成为开口部侧厚、底部侧薄的连续的膜厚。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述氧化处理至少使用二氯乙烯进行。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

第1工序，在由元件分离部夹持的区域中形成沟槽栅极用的沟槽，在上述沟槽和元件分离部之间形成飞边；

第2工序，进行减少上述飞边的处理；

第3工序，进行氧化处理，与上述沟槽内的高度低的一侧相比，对高度高的一侧进行氧化；以及

第4工序，进行减少上述飞边的处理。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述第2及第4工序中的处理是热处理。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述热处理是氢烘烤处理：至少使氢气以5升/分以上的流量流动，使温度为800度到900度。