[发明专利]均匀大面积光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃及制作方法无效
| 申请号: | 200810123266.X | 申请日: | 2008-07-11 |
| 公开(公告)号: | CN101308878A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
| 发明(设计)人: | 林金锡;唐敦乙;林书铨 | 申请(专利权)人: | 常州市亚玛顿科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0216;H01L31/18;C03C17/23 |
| 代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 | 代理人: | 侯雁 |
| 地址: | 213125江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 均匀 大面积 光线 镀膜 太阳能电池 封装 玻璃 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能光电转换玻璃及其制作方法,特别涉及一种均匀大面积光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃及制作方法。
背景技术
目前,公知的太阳能光电转换依靠的是太阳能电池组件中的硅电池片,硅电池片有很好的吸光作用,随着人们对太阳能电池组件的不断改进,太阳能电池组件中的硅电池片的光电转化效率在目前的工艺制作水平上快达到了极限,要想再提高太阳能电池的光电转换效率0.1%都是相当困难的。光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃为制造晶体硅太阳能电池组件必需的重要部件,其光线透过率目前最高只能达到91.5%,这就意味着还有8.5%的阳光未被利用,晶体硅电池片的潜能未充分发挥。因此目前解决太阳能电池光电转换效率的方法之一是,提高太阳能电池光电组件中作为封盖材料的玻璃的透光率,从而来达到提高整个太阳能电池相对光电转化效率的目的。增加封盖玻璃的光线透过率的方法主要是两个,其一是改变制造玻璃的配方,调整掉吸收光线的成份,这里主要是降低氧化铁成分的量,如目前采用的低铁超白玻璃;其二是在玻璃表面制作漫反射面,使玻璃表面反射出去的光线有一部份又反射回来,如采用压花玻璃,但这两种玻璃的透光率最高只能达到91.5%,。因此人们进行了改进,采用对玻璃基片上面进行镀膜的方法来提高玻璃的透光率,但采用的镀膜配方和方法有多种。目前在太阳能电池封装玻璃上进行光线增透镀膜的方法主要有溅射和溶胶凝胶两种方法,但两种方法存在着如下缺陷:(1)采用溅射的方法镀膜玻璃,生产过程中不使用浆料,使用的是固体靶材,生产成本高;(2)采用溶胶凝胶的方法镀膜玻璃,目前只限于实验室小面积的实验,还没有达到太阳能电池组件玻璃要求;也就是目前的溅射和溶胶凝胶两种方法,无法生产出均匀大面积的镀膜玻璃,镀膜质量更无法保证。因此,目前成本比较低的制作生产均匀大面积光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃是一个一直尚未解决的技术难题。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足,提供一种均匀大面积光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃及制作方法,该方法生产的光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃镀膜面积大、均匀、功率增量高、成本低、硬度好。
实现上述目的的技术方案是:本发明均匀大面积光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃,它包括玻璃基片和光线增透膜层,光线增透膜层涂覆在玻璃基片一侧的表面上,所述光线增透膜层含有氧化物SiO2和TiO2中的一种或两种成分,光线增透膜层的膜层厚度为70nm至250nm。
本发明所述的均匀大面积光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃的制作方法为:
第一步,将含有氧化物SiO2和TiO2中的一种或两种成分的有机化合物或无机化合物溶于溶剂中,配制成镀膜浆料;
第二步,采用喷涂、提拉、滚涂、旋涂、流涂镀膜方法中的任一种,将浆料涂敷到玻璃基片上;
第三步,将镀好膜的均匀大面积光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃进行坚膜处理。
进一步,第一步中所述的溶剂为甲醇类、乙醇类、丙醇类、丙酮类和乙酸乙酯中的任一种及去离子水。
进一步,第三步中所述的坚膜处理时的温度为150℃-550℃。
采用本发明所述的一种均匀大面积光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃及制作方法,具有以下优点:(1)产品质量好,制作面积大、均匀,透光率高、功率增量高。本发明的玻璃及其制作方法产生的效果好,制作的光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃面积大、均匀,制作的玻璃面积从0.4m2-2.0m2。硬度好牢固,光线增透膜层与玻璃基片两者牢固地形成一体,不易剥落和划落,耐久度好,使用寿命长,硬度高,光线增透膜层硬度不低于2H。本发明可增加玻璃的透光率2%以上,玻璃的透光率为93.5%以上,太阳能电池封装组件的功率增量达到2.5%以上;(2)制作方法和产品结构简单、成本低。本发明的制作原料易得,制作方法简单,制作出的产品光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃效果佳,原料成本低,制作方法成本低,产品结构简单,从而也大大降低了太阳能电池封装组件的成本。本发明解决了长久以来一直未能解决的技术难题,对于太阳能的应用和太阳能电池的制作具有重要意义。
附图说明
图1是本发明的结构示意图;
图2是图1的A-A剖视图。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





