[发明专利]在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法有效
| 申请号： | 200810116381.4 | 申请日： | 2008-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101625522A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 赵珉;朱效立;陈宝钦;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/004;G03F7/30;G03F7/40;G03F7/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 厚负性 高分辨率 电子束 抗蚀剂 hsq 制作 密集 图形 方法 | ||
1.一种在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法， 其特征在于，该方法包括：
A、对衬底进行表面清洁及热处理；
B、在衬底上涂敷厚度为400至500纳米的负性高分辨率电子束抗蚀 剂HSQ厚胶层；
C、对涂敷了HSQ厚胶层的衬底进行前烘；
D、对HSQ厚胶层进行密集图形的电子束直写曝光；
E、显影的准备工作及实施显影；
F、定影及干燥；
G、进行后续的图形转移工艺；
其中，步骤C中所述前烘采用烘箱或热板进行，在采用烘箱或热板进 行烘烤时进一步采用梯度前烘方法，温度升高及降低过程中该衬底均保持 在烘箱内或热板上；
步骤E中所述显影，显影液采用TMAH，预先将显影液加热至40℃， 准备一杯去离子水作为定影液，并将该定影液加热到40℃；显影时先将经 步骤D处理后的衬底放置于常温的显影液中，待不产生气泡时将衬底取 出，再置于40℃的显影液中显影5分钟；
在步骤B的涂胶之前及步骤E的显影之前进一步包括：对该衬底进行 热烘烤处理。
2.根据权利要求1所述的在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制 作密集图形的方法，其特征在于，步骤A中所述衬底是以硅、锗、化合物 半导体或金属材料导体为主体结构的衬底。
3.根据权利要求1所述的在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制 作密集图形的方法，其特征在于，步骤B中所述在衬底上涂敷负性高分辨 率电子束抗蚀剂HSQ厚胶层，采用匀胶机涂敷方法进行涂敷，负性高分 辨率电子束抗蚀剂HSQ包括Fox13、Fox14、Fox15、Fox23、Fox24、Fox25 型号的HSQ，HSQ厚胶层为单层结构。
4.根据权利要求1所述的在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制 作密集图形的方法，其特征在于，步骤D中所述电子束直写曝光是采用矢 量扫描电子束光刻系统实现的。
5.根据权利要求1所述的在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制 作密集图形的方法，其特征在于，步骤F中所述定影及干燥包括：
显影完毕后快速将经显影处理后的衬底取出并放入去离子水中定影， 在去离子水中定影10分钟并自然冷却后取出该衬底，然后利用超临界CO2进行干燥，或用N2气气枪沿该衬底上的图形线条方向吹干。
6.根据权利要求1所述的在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制 作密集图形的方法，其特征在于，步骤G中所述后续图形转移工艺包括电 镀、剥离和刻蚀。
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