[发明专利]采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法

权利要求书

1.一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法，其特征在于，该方法包括：

选择异质结双极型晶体管HBT材料的基极-集电极结制作变容二极管，利用HBT中基极层材料的高掺杂特征，使接触金属不经过高温金属化工艺或者通过快速金属化工艺可形成欧姆接触；

采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二次掺杂，调整变容二极管材料区域掺杂组分至适于制作变容二极管的超突变结状态，同时使无需二次掺杂的区域不受该二次掺杂的影响。

2.根据权利要求1所述的采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法，其特征在于，所述采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二次掺杂的步骤，是在会引起二次扩散的工艺步骤之后进行的。

3.根据权利要求2所述的采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法，其特征在于，所述会引起二次扩散的工艺步骤至少包括：高温合金化工艺、高温介质材料生长工艺和高温烘烤工艺。

4.根据权利要求1所述的采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法，其特征在于，该方法在所述采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二次掺杂的步骤之后，进一步包括：

执行不易引起二次扩散的基极层材料接触制作和钝化工艺步骤。